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技术文章
Sensofar共聚焦白光干涉仪|对用于后端封装环节
关于在半导体领域的应用，我们通常集中在制造过程的后端封装环节：Sensofar的产品可以用来表征关键尺寸，表征材料的粗糙度，以及进行缺陷检测等。
碳化硅基晶圆
由于其**的热稳定性与特殊的电子传输特性，以碳化硅基晶圆为基础的芯片在很多新兴电子器件比如说5G通讯等领域得到了广泛应用。在制备碳化硅基集成电路时，通常采用的是化学气相沉积技术。对其表面形貌的测量与表征对于了解其晶体生长过程是否均匀很有必要。SensoVIEW可以通过ISO标准规定的各空间，高度，以及混合参数来表征材料的形貌。
蚀刻电路
在蚀刻工艺之后，通常需要评估所得特征的高度。SensoPRO 软件中的 Step Height 插件通过检测形貌中的两个不同高度的平面来计算该台阶高度。无论分析的图案如何，都可以立即识别出该台阶特征。 为了确保测量的*佳精度，该处使用了 干涉测量法。
3D 十字切口
衡量芯片分割的质量通常有两个主要参数来表征：高度，以确保底部没有被损坏；宽度，这是衡量切割质量的标准。 Cross kerf 插件 不仅可以检测十字并提取所需的参数，还可以调平表面以确保晶圆中的现有角度不会影响提取的数据。对于此应用，这些分割特征的高纵横比使得测量非常具有挑战性，只有 Ai Focus Variation 才能合适的解决此应用中存在的问题。
钝化层孔
钝化层上的孔决定了芯片与引线键合的通路。
孔插件 可以测量直径从50微米到2毫米的孔，在此应用中非常实用。
孔内薄膜厚度
S neox 扩展了 反射光谱仪的应用，因为它可以使用低至3微米的光斑测量直径非常小的孔上的薄膜厚度！
通过表面测量管控晶片翘曲
该晶圆经过了不同的工序，其表面有不同的特征点。
纹理化工艺处理使得这些特征点表面非常粗糙，因此可以用 S wide来测量。
在高温环境实施的外延生长薄膜工艺使得晶圆有可能产生变形。 为了评估这一点，我们用SensoVIEW测量了特征结构之间的距离，
看它们是否符合预期的长度，由此来判断晶圆是否有形变。
原创作者：北京仪光科技有限公司
