离子注入装置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量离子注入装置。

特长

·单叶式

·支持稀薄Wafer

·平行光束

用途

·功率器件等薄型基板工艺、IGBT工艺

离子注入装置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量离子注入装置。

特长

·单叶式

·支持稀薄Wafer

·平行光束

用途

·功率器件等薄型基板工艺、IGBT工艺

离子注入装置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量离子注入装置。

特长

·单叶式

·支持稀薄Wafer

·平行光束

用途

·功率器件等薄型基板工艺、IGBT工艺

离子注入装置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量离子注入装置。

特长

·单叶式

·支持稀薄Wafer

·平行光束

用途

·功率器件等薄型基板工艺、IGBT工艺

离子注入装置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量离子注入装置。

特长

·单叶式

·支持稀薄Wafer

·平行光束

用途

·功率器件等薄型基板工艺、IGBT工艺

离子注入装置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量离子注入装置。

特长

·单叶式

·支持稀薄Wafer

·平行光束

用途

·功率器件等薄型基板工艺、IGBT工艺

离子注入装置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量离子注入装置。

特长

·单叶式

·支持稀薄Wafer

·平行光束

用途

·功率器件等薄型基板工艺、IGBT工艺

离子注入装置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量离子注入装置。

特长

·单叶式

·支持稀薄Wafer

·平行光束

用途

·功率器件等薄型基板工艺、IGBT工艺