微波等离子化学气相沉积系统MPCVD炉

原理：通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。

应用：

大尺寸宝石级单晶钻石；
高取向度金刚石晶体；
纳米结晶金刚石；
碳纳米管/类金刚石碳 ( DLC )。

微波等离子化学气相沉积系统MPCVD炉

产品特点
无需在样品腔内安装内部电极，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步提升晶体的纯净度和生长周期；
腔外多电极设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。合成的金刚石，纯度均在VVS级别以上；
电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高；
微波发生器稳定易控，能在从1000Pa到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石；
可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容；
安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准；
可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。大可以对300mm直径的衬底沉积金刚石薄膜；