低能量离子减薄仪 IV5/IV8
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详细内容
- 产介绍:低能量离子减薄仪 IV5/IV8
药(械)准字:无需注册证号
性能特点如下:Technoorg 出的Gentle Mill系列产可用于*终抛光、很容易对先在标准高能离子减薄仪上或FIB上处理过的样进行清洁及改善性能。推荐用户选择Gentle Mill型号来进行样制备
无合成产物
几乎无损坏
*佳质量的XTEM(截面透射电镜),HRTEM(高分辨透射电镜)或STEM(扫描透射电镜)样制备。
这些配置的离子减薄仪也可适用于对磨凹(凹坑)处理过的或薄的(< 25 μm)、平面的、被机械抛光的样进行快速减薄。
*主要特点:*主要特点点:Gentle Mill温和型低能离子减薄仪(型号IV5/IV8)为*的制备高质量TEM/FIB样的离子减薄工作站
*的低能离子源:Gentle Mill离子束工作站所用的热阴低能离子源,具有令人瞩目的技术。其低能量的离子束确保使表面损坏及离子束诱导的无定形物减至*小限度。独特的离子源结构允许高离子束电流密度。所有离子枪参数包括加速电压及阴电流由数字反馈回路全自动控制,但它们在样制备过程中也可手动进行改变。离子源参数的初始值既可自动也可手动设置,并可在电脑显示屏中连续显示。
无合成产物的样制备:Gentle Mill在低能量离子轰击时对样无损坏的独特能力,在应用科学及材料研究域中,给用户提供了研究合成材料及自然材料中实纳米结构的工具。
对TEM/FIB样进行清洁及后处理的快速、可靠的方法
独立用户模式,带有预编程设置的自动操作:三代Gentle Mill 3(型号IV8)为全计算机控制,通过易使用的图形界面操作。所有减薄参数包括离子源的设置、气流量控制、其它减薄参数如样移动及倾斜角度的设置、穿孔检测等可以被贮存,或以任意步数进行预编程。这种全自动特点减少了人为干预,可制备高质量的样。自动终止功能为图像分析模块支持的减薄过程的光学终止(探测样穿孔或监视样表面形貌)。Gentle Mill 3配有软件扩展功能,可实现在线技术支持,通过网络进行即时故障侦测及问题排除。
样进样系统:空装载锁定系统,可进行快速样换;全机械、无胶合样装载机构;对XTEM样特别设计的钛框架及封装技术
可应用于工业环境研究
专门设计,可直接用于Hitachi的FIB-STEM/TEM系统3D样托:基于Hitachi的FIB/STEM 和Technoorg的Gentle Mill 离子束工作站,Hitachi 与Technoorg合作共同提供了个完整方案用于特定要求低损坏样的制备。半自动和全自动的Gentle Mill型号具有低能量离子减薄及清洁能力,可用于FIB样制备的*后步骤来去除无定形物或损坏的表面层。这些型号可允许直接插入Hitachi的3D FIB/STEM样杆,因而样制备时间可大大地减少。
分类: Gentle Mill(型号为IV5),为计算机控制的标准型号;Gentle Mill 3(型号为IV8),为全自动型号;Gentle Mill Hi and Gentle Mill 3 Hi为与Hitachi FIB/STEM系统兼容的型号。
技术参数:离子能量:100 - 2000 eV,连续可调
离子电流密度:*大10 mA/cm2
离子束流:7 - 90 uA,连续可调
离子束直径:750 - 1200 um (FWHM)
减薄速率:2000 eV离子能量及30度离子束入射角时,c-Si上的减薄速率为28 um/h
样台
减薄角度:0 - 45°,电子调节步长为0.1°
计算机控制样平面旋转
摇摆(0- 120°角度范围,电子调节步长为10°)
出众的厚度范围:涵盖TEM样厚度(30 - 200 um)
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