使用分辨率≤1.2m提供I-line功能
尼康认识到，I线要求正变得越来越具有挑战性，NES1W-i05/NES2W-i05步进器可容纳I-线抗蚀处理，并提供1.2米以下的分辨率能力，数据降低到1.0毫米示范。NES1W-i05和NES2W-i05系统完全满足尖端MEMS制造的需要。

适应具有10米聚焦深度的具有挑战性的过程需求
这些MEMS步进器利用0.10到0.20可变数值孔径投影透镜设计与2.0x减少，是为了解决这些门的I线应用带来的独特的工艺挑战。NES1W-i05/NES2W-i05系统使聚焦深度可达10米，其的自动对焦系统提供逐芯片自动对焦功能，进一步提高了这些困难工艺的产量。

大限度地提高生产率，吞吐量超过75 WPH
NES 1/2W-i05处理系统采用了一种新开发的边缘抓地力设计，它可以很好地与太科和其他薄片一起工作，Ver中性盘可以利用非接触式交付以及传统的处理。卡盘设计还允许双面非接触曝光.NES1-i05系统每小时可处理超过756“晶片。

用22 mm的场地尺寸增强与NSR步进器的混合和匹配
NES1W-i05/NES2W-i05利用的镜头技术，使曝光场与传统的5x减缩步进相同的22 mm x 22 mm曝光场，简化了混合和匹配的应用，同时提高了生产率。为了进一步简化匹配和刻线设计，还可以在这些系统上使用与传统NSR步进器相同的对齐标记(FIA X/Y同步标记)。

提供出色的覆盖性能
晶片变形和工艺收缩等问题效应在某些应用中可能具有挑战性；然而，NES1W-i05和NES2W-i05采用增强的全局对准(EGA)方法将覆盖精度优化为0.30和0.35m，适用于22 mm的大场。EGA通过使用跨晶圆片的多个对齐标记来实现功能，以确保佳匹配对齐，从而补偿旋转问题或过程引起的变形。模式匹配对齐功能也可以为网线设计提供更大的灵活性。

支持背面对准0.8米
客户还可以选择增加背面对齐功能，以使位于晶圆表面背面的标记精确对齐0.8米及以下。新开发的背面对准系统包括直接和红外线对齐能力，以优化性能。