主要技术指标

测量包括：

•   迁移率测试

•   DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs

•   AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs

•   载流子浓度测试

•   电阻率测试

•   电阻测量

•   低电阻范围 1uohm to 1Mohm

•   宽电阻范围 1uohm to 100Gohm

•   高电阻范围 1ohm to 100Gohm

•   范德堡法测试范围

•   霍尔巴法测试

磁帽:

•   可更换帽

•   标准25mm

•   在0-130mm间距连续可调

•   更大帽直径可选,50mm,75mm

电磁铁:

•   ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface

•   ±35V, ±70A电源

•   磁场>±IT@25mmpolegap

•   线圈电阻: 0.5 Ω (20°C)

•   水冷

温度选项:

•   低温 3K-300K

•   高温300K-1273K

纳米磁学高斯计:

•   磁场扫描采用集成高斯计

•   磁场校准采用霍尔探头

•   高灵敏度的磁场测量

•   所有参数可通过软件控制

样品架:

•   4,6 or8范德堡或霍尔巴测试设计

•   易于样品安装与弹簧连接

•   5mmx5mm样品大小(提供更大选件)

•   多个样品安装

控制器和软件:

•   使用我们软件可逐层的进行迁移率分析

•   基于C# 的全自动软件分析

•   非常宽的温度测试范围,3-1,300K

•   采用高斯计进行磁场的控制

•   非常容易的进行范德堡霍尔巴方法样品测试

•   提供软件终生升