主要型号：

- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD);

- Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD);

- Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD);

技术规格特点：

- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；

- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；

- ALD沉积均匀性：<1% (AL₂O₃@4”晶圆衬底)；

- 驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；

- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；

- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；

- 载气：氮气或者氩气；

- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；

- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等；

ALD可沉积材料分类：

- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

等等…

参考用户：

中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…