电子背散射硅探测器

自1983年以来，MICRON已成为核物理、高能物理、空间物理、核医学研究、OEM(原始设备制造商)市场的硅探测器的先制造商。MICRON门生产定制的AC和DC硅和金刚石探测器，被各地的用户广泛使用。

LL系列硅探测器设计结构为环形象限、靶孔和带薄入口窗的双元素探测器，针对性的用于电子显微镜中1keV的低能电子探测。

主要性能指标参数（以LL2-300为例）：

有效探测面积：6.858 mm(内径) x 24.13 mm(外径)

靶孔直径：5.6mm

硅片厚度：300μm

死层厚度：1μm、100nm、50nm可选

表面电容：40 pF /cm²

正向电压(10mA)：< 0.8 V

噪声(12V) rms：< 2.5mV(相对值)

表面金属化：铝3000 Å

欧姆面金属化：金3000Å

封装方式：PCB封装

连接器：飞线连接（其他连接器类型可选）

质量保证：ISO9001

LL系列产品多种尺寸可选，可根据设计需求来电咨询，选择合适的探测器。

电子背散射硅探测器

自1983年以来，MICRON已成为核物理、高能物理、空间物理、核医学研究、OEM(原始设备制造商)市场的硅探测器的先制造商。MICRON门生产定制的AC和DC硅和金刚石探测器，被各地的用户广泛使用。

LL系列硅探测器设计结构为环形象限、靶孔和带薄入口窗的双元素探测器，针对性的用于电子显微镜中1keV的低能电子探测。

主要性能指标参数（以LL2-300为例）：

有效探测面积：6.858 mm(内径) x 24.13 mm(外径)

靶孔直径：5.6mm

硅片厚度：300μm

死层厚度：1μm、100nm、50nm可选

表面电容：40 pF /cm²

正向电压(10mA)：< 0.8 V

噪声(12V) rms：< 2.5mV(相对值)

表面金属化：铝3000 Å

欧姆面金属化：金3000Å

封装方式：PCB封装

连接器：飞线连接（其他连接器类型可选）

质量保证：ISO9001

LL系列产品多种尺寸可选，可根据设计需求来电咨询，选择合适的探测器。