氮化硅陶瓷制作工艺流程

制备工艺流程：卤化硅氨解法：卤化硅氨解法是指(1)硅的卤化物（SiCl4、SiBr等）或硅的氢卤化物（SiHCl3、SiH2Cl2、SiHI等）与氨气或者氮气发生化学气相反应，生成氮化硅；或者(2)在低温下先由硅的卤化物或氢卤化物生成硅亚胺，再由硅亚胺加热分解得到氮化硅两种反应方法的反应方程式如下所示：因为(1)中反应物是卤化硅和氨气，又是在气相中反应，所以通常可以制得高纯的α-Si3N4或无定形氮化硅粉末而(2)反应的关键是要制得纯的硅亚胺，通过硅亚胺的热分解可以直接制得很纯的α-Si3N4粉末；反应速度也比较快，至已开始应用于生产非晶氮化硅薄膜如果作为合成氮化硅微晶的方法，此路径相对比较长，且需要低温条件。

烧结工艺流程：反应烧结法（RS) 是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻).后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率<011%).该产品一般不需研磨加工即可使用反应烧结法适于制造形状复杂，尺寸精确的零件，成本也低，但氮化时间很长。