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离子研磨仪/氩离子抛光仪
点击次数:135发布时间:2020/5/29 11:37:28
更新日期:2020/5/29 11:37:28
所 在 地:
产品型号:SC-1000
优质供应
详细内容
仪器描述:
专为SEM应用设计的高质量样品制备
• 通过斜坡切割离子减薄方式制备SEM截面样品
• 对传统SEM及EBSD样品的终抛光及终清洁
• 用高能离子枪进行快速减薄
• 用低能离子枪对样品表面进行温和抛光和清洁
• 自动参数设置和操作
• 样品台具有旋转及振荡功能
• 具有高精度定位的专用样品制备
• 通过高分辨CCD相机和TFT监视器,实时监控减薄过程
当今高端扫描电镜研究需要高质量、样品表面完好无损、具有真实微观结构(无人造产物)的SEM样品。欧洲Technoorg公司*新设计的SC-1000型SEM样品制备系统,采用成熟的离子束减薄技术制造,所处理的样品表面能完全满足这些要求。 SC-1000配置了高能和低能离子源。用高能离子枪对样品进行快速斜坡切割,随后用低能离子枪进行温和的表面清洁,这样处理过的SEM截面样品可用于半导体失效分析和其它分析用途。此系统也提供离子减薄方案,用来改善和清洁机械抛光处理过的SEM样品和制备表面无损坏的EBSD样品。
技术规格:
• 离子源: 两只离子枪;聚焦高能离子枪,能量范围2keV to 10keV;聚焦低能离子枪,能量范围100eV to 2keV
连续和独立可调减薄能量;束流密度: 240mA/cm²(聚焦高能离子枪);10mA/cm²(聚焦低能离子枪)
溅射速率: 180 μm/h(Si at 30º, 聚焦高能离子枪);28 μm/h(Si at 30º, 聚焦低能离子枪)
• 样品台: 样品尺寸: 斜坡切割样品座:20mm x 20mm x 4mm;用于EBSD表面清洁的样品座:Ø25mm x 15mm;样品定位: 高精度样品定位(斜坡切割):精度<2 μm;样品倾斜: 0° to 30°;样品旋转: 平面转动360°;样品振荡: 平面振荡+10° to 45°
• 真空系统: 无油隔膜泵加涡轮分子泵,复合真空计(皮拉尼/潘宁)
• 气体供给: 99.999%高纯氩气,带有电动针阀的高精度工作气流控制
• 成像系统: 高分辨率CCD相机,带有手动变焦镜头,放大倍数50-400x
• 电脑控制: 易使用图形用户界面,带有可选的图像处理模块,自动设置离子源、减薄参数及操作控制
应用范围:
扫描电镜专用剖面离子抛光仪,采用离子束斜坡切割法制备各种优质的固体材料横截面平面样品,用于SEM成像观察及显微分析;也可通过对样品进行温和抛光和清洁处理,用于电子背散射衍射(EBSD)研究以及取向分布成像显微分析(OIM)的样品制备。SC-1000广泛应用于石油地质(煤、页岩等)、半导体、材料研究领域的SEM样品制备,可克服机械抛光研磨的缺点,以确保获得样品的真实形貌。