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二、实验内容
1. 测定通过电磁铁的励磁电流IM和电磁铁气隙中磁感应强度的关系,观测GaAs传感器的霍尔效应。
2. 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
3. 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合
4. 外接信号发生器,深入研究磁电阻的交流特性(倍频效应)和观测其特有的物理现象。
三、主要技术参数
1.恒流源1:输出电流0-1A,连续可调,分辨率1mA,三位半数字电流表显示。
2.内置InSb电阻用恒流源0-4mA.
3.电压表:量程±1999.9mV,四位半数字电压表显示,分辨率0.1mV。
4.数字毫特仪:量程量程0±1999.9mT,分辨率0.1mT,度优于1%FS;四位半数字显示.