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eva交联度测试仪
点击次数：1076发布时间：2009/11/2 0:00:00
更新日期：2012/1/31 17:30:30
所 在 地：中国大陆
产品型号：JR-EVA
相关标签：eva交联度测试仪 eva交联度测试系统
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详细内容
本资料属于上海璟瑞科学仪器以下公式起草资料
一、eva交联度测试仪器与试剂
仪器:
仪器:
1、大口圆底烧瓶及塞子。用磨口或软木塞连接。如进行1~2只样品测定以500mL为宜；如进行2~3只样品测定以1000mL 为宜；如进行数只但不超过6只则以2000mL的烧瓶较为适用。
2、加热套或恒温油槽。要求热容量足以加沸二甲苯（沸点为135~144°C）。
3、回流冷凝管。带磨口或以软木塞和烧瓶连接，冷凝管磨口尺寸与圆底烧瓶的磨口尺寸一致，长度适当。
4、支架和夹子。用于固定烧瓶和冷凝管。
5、真空烘箱。附带能产生0.87MPa真空度的真空源。
6、120目不锈钢网
7、精度为1/10000的托盘电子分析天平。
8、干燥器
试剂
1、二甲苯A.R，分析纯或化学纯。
2、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚（即抗氧剂264）。
二、实验方法
分析步骤
1、不锈钢网袋的制作：
先将不锈钢网洗净，晾干，放入100℃左右的烘箱烘干，冷却后截取35×90mm，对折成35×45mm的长方形，两侧边折进7.5mm钉住，制成顶端开口的袋（尺寸约20×45mm），并且要折起的两边钢好能被订书钉钉住，而且做好的试样袋要能放入烧瓶，尺寸不能太大。称重量为（W1）。
2、分析操作
将已交联过的EVA胶样（在不同部位取样），用剪刀剪成小碎片，在1/10000电子天平式称取试样0.1450~0.1500 g到0.0001g，将样品放入已知重量的120目不锈钢网袋里，称（袋和试样）重（W2）。
＊将袋口折边钉上，构成试样包，称（袋和试样）重（W3）。
＊试样包用铜丝悬吊在回流装置的烧瓶中，以二甲苯为溶剂（溶剂要充足，2000mL烧瓶要装1000g溶剂；1000mL烧瓶要装500g溶剂）。沸腾回流5h，一般回流速度为20~40滴/分。（为防止试样的再度交联，加入溶剂重量1%左右的抗氧剂）冷却，取出试样袋（悬挂起来，以除去过量的溶剂）后，再放入真空烘箱（温度141±20℃，真空度0.8MPa）中烘3h，取出试样袋于干燥器内冷却15min，取出称量（W4）。
3计算
W1：三边封口一边开口的袋重。
W2：装有试样的袋重（三边封一边开口的袋）
W3：装有试样封口的袋重
W4：萃取并干燥后的试样袋重
4、分析与结果
通过多项实验，结果显示，不锈钢网袋和未交联的EVA树脂不会影响此分析方法的性。
萃取时间5h后，交联度变化不大。
交联剂用量增加，EVA的交联度也会上升，与实际工艺吻合。
5、结语
使用此法，分析数据平行，不同试样的分析数据符合它的规律性，能满足工艺与应用上对交联度测定的需要，故本法是可行的。
本测定方法同样适用于聚烯烃及其共聚物的交联度测定。
2、加热套或恒温油槽。要求热容量足以加沸二甲苯（沸点为135~144°C）。
3、回流冷凝管。带磨口或以软木塞和烧瓶连接，冷凝管磨口尺寸与圆底烧瓶的磨口尺寸一致，长度适当。
4、支架和夹子。用于固定烧瓶和冷凝管。
5、真空烘箱。附带能产生0.87MPa真空度的真空源。
6、120目不锈钢网
7、精度为1/10000的托盘电子分析天平。
8、干燥器
试剂
1、二甲苯A.R，分析纯或化学纯。
2、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚（即抗氧剂264）。
二、实验方法
分析步骤
1、不锈钢网袋的制作：
先将不锈钢网洗净，晾干，放入100℃左右的烘箱烘干，冷却后截取35×90mm，对折成35×45mm的长方形，两侧边折进7.5mm钉住，制成顶端开口的袋（尺寸约20×45mm），并且要折起的两边钢好能被订书钉钉住，而且做好的试样袋要能放入烧瓶，尺寸不能太大。称重量为（W1）。
2、分析操作
将已交联过的EVA胶样（在不同部位取样），用剪刀剪成小碎片，在1/10000电子天平式称取试样0.1450~0.1500 g到0.0001g，将样品放入已知重量的120目不锈钢网袋里，称（袋和试样）重（W2）。
＊将袋口折边钉上，构成试样包，称（袋和试样）重（W3）。
＊试样包用铜丝悬吊在回流装置的烧瓶中，以二甲苯为溶剂（溶剂要充足，2000mL烧瓶要装1000g溶剂；1000mL烧瓶要装500g溶剂）。沸腾回流5h，一般回流速度为20~40滴/分。（为防止试样的再度交联，加入溶剂重量1%左右的抗氧剂）冷却，取出试样袋（悬挂起来，以除去过量的溶剂）后，再放入真空烘箱（温度141±20℃，真空度0.8MPa）中烘3h，取出试样袋于干燥器内冷却15min，取出称量（W4）。
3计算
W1：三边封口一边开口的袋重。
W2：装有试样的袋重（三边封一边开口的袋）
W3：装有试样封口的袋重
W4：萃取并干燥后的试样袋重
4、分析与结果
通过多项实验，结果显示，不锈钢网袋和未交联的EVA树脂不会影响此分析方法的性。
萃取时间5h后，交联度变化不大。
交联剂用量增加，EVA的交联度也会上升，与实际工艺吻合。
5、结语
使用此法，分析数据平行，不同试样的分析数据符合它的规律性，能满足工艺与应用上对交联度测定的需要，故本法是可行的。
本测定方法同样适用于聚烯烃及其共聚物的交联度测定。
EVA交联度的测试方法一
Define:交联度是指EVA分子经过交联反应达到不溶不熔凝胶固化的程度。
Principle:是将EVA样品置于二甲苯中萃取，未经交联的EVA全部溶到二甲苯中，已交联的EVA不溶，通过残留试样量与试样总量的比值确定交联度。
Equipmentreagent:
1、仪器装置及器具
磨口圆底烧瓶、回流冷凝管、电加热油浴、真空烘箱、不锈钢丝网袋
2、试剂
二甲苯:A.R级、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚（抗氧剂264）
Step：
1、试样制备
取胶膜一块,将TPT/胶膜/胶膜/玻璃叠合后,按平时一次固化工艺固化交联,（或者按厂家工艺要求固化交联）将已交联好的胶膜剪成小碎片待用.
2、不锈钢丝网袋（120目）制备
1洗净，晾干，放入100℃左右的烘箱烘干，冷却。
2剪取80mm×40mm,对折成40mm正方形,两侧对折进6mm后固定,制成顶端开口的袋。称重为W1。
3、试验步骤
1取试样0.5g±0.01g,放入不锈钢丝网袋中,称重为W2。
2封住袋口作成试样包,并称重为W3。
3 试样包用细铜丝悬吊在回流冷凝管下的烧瓶中,烧瓶内加入1/2二甲苯溶剂,加热到140℃左右,溶剂沸腾回流5h～6h时 ,回流速度保持20滴/分～40滴/分.
4冷却取出试样包,悬挂除去溶剂液滴,然后放入真空烘箱内,温度控制在140℃,真空度为0.08Mpa,干燥3h,除去溶剂.
5将试样包从真空烘箱内取出,放置干燥器中冷却20min后,取出称重为W4精确到0.01g
结果计算 C=[1-（W3-W4）/（W2-W1）]×100 式中:
C—交联度% W1—空袋重量g
W2—装有试样的袋重g W3—试样包重g
W4—经溶剂萃取和干燥后的试样包重g
分析与结果
本标准采用下列定义
3.1
式中
表观寿命filament life（;、
光电导电压衰减到初始值的1;。时的时间常数"（ps），用公式（1）表Y
△V 二 AV e xp （一 t＇ r ） ·· ⋯ ，.门 日.时 钾·· ··· ··· ··· ·⋯ ⋯ （ 1
AV AV光电浮电压.V;
光电导电压的峰值或初始值,V:
，-一一时问，“、
r,. 表观寿命.1-
4 方法提要
4. 1 方法A— 在两端面为研磨表而并具有欧姆接触的单一导电类型的半导体单品试样I通直流电流，用示波器观察试样!的电压降对试样施一脉冲光，在试样中产生非平衡少数载流子，同时触发波器扫描。从脉冲光停止起电压衰减的时间常数可由示波器扫描测得当试样中电导率调幅I仁常小日寸，所观察到的电压衰减等价于光生载流子的衰减，因此电压衰减的时间常数就等于非平衡少数载流子晨减的时问常数，少数载流子寿命即由该时间系数确定必要时，应消除陷阱效应和对表向复合及过址电导率调幅进行修正
4. 2 方法s— 本方法只适用于硅。光源为斩切光而非脉冲光，其他与方法n相同光源波长为
1.0- 1 .1k m本方法需满足小注入条件以避免过量电导率调幅的影响。信号进入示波器以前可对信号进行调节，对表面复合需进行修正
本方 法 不 适用于测试条件卜呈十指数规律变化信号的试样
5 意义和用途
本标 准 只 适用于研究、开发和过程控制，不适用于抛光片的验收测试对于一般非仲裁性的测试‘可使用本标准的附录n
6 干扰因素
6.1 陷阱效应影响
室温 卜的 硅和低温状况下的锗，载流子陷阱会产生影响。如果试样中存在电子或空穴陷阱.脉冲光停止后，非平衡少数载流子将保持较高浓度并维持相当长一段时间，光电导衰减曲线会出现一条民长的尾巴在这段衰减曲线卜进行测量将错误地导致寿命值增大
6.1.1 沿衰减曲线进一步延伸.由至低端进行测量，若时间常数增加，可判定存在陷I湃效应（消除方法见10.1.9）
6门.2 当试样中陷阱效应超过衰减曲线总幅度的s环（方法A）或衰减曲线呈柞指数规律变化时〔方法B）就不能用本方法测量少数载流子寿命
6.2 表面复合影响
6.2.1 表面复合会影响寿命测量，特别是使用小块试样时。表3给出了推荐试样尺寸对应的表Iil复合率.在“计勇”一章中也给出了表面复合修IF的一般公式当试样表面积与体积之比很大时.吏石必要进
行修正
6.2.2 若对表面复合修正太大，会严重降低测敏的性建汉对测量值的修正不要超过测I,l.俏倒数的t/z（Pp表观寿命须大于体寿命的一半，或表面复合率不大于休寿命的倒数，见土户壮公式（1 标盯头形试个刊听测定的*人体寿命值列于表艺GB/T 1553一1997表3 表而复合率R材料类型八}ttj 13 类型〔介﹃﹃价口口口朴P型锗n型锗p型硅n型0. 032 300.015 750. 011 200.00420
6.3 注入量的影响测量 时 试 样电导率调幅必须很小，这样试样卜电势差的衰减才等价于光生载流子的衰减
6.3门方法A:当试样上直流电压调幅AV,）,/V,超过0.01时，允许进行修正
6.3.2 方法1i不允许作这种修正此处小注入条件是指在连续光照F稳定存ti -T试样中1t入的少数载流子浓度与平衡的多数载流子浓度之比小于。.加1〔见10.2. 10 ）o 若光注人小能降低到小注入值‘试样就不宜用本方法测量
6.4 光生伏应影响
试 样 电 阻率不均匀会产生使衰减信号扭曲的光电压一一光生伏应方法八和方法B（见10.1.5和10.2.6）都给出了判定是否存在这种光生电压的方法在没有电流通过时就呈现光电压的试样不适宜用本方法测量。
6.5 光源波长的影响
光生 载 流 子大幅度衰减会影响曲线的形状尤其在衰减初期使用脉冲光时，这种现象更为显著。因为脉冲光源比斩切光源注入的载流子初始浓度一致性差，方法A耍求使用滤光片以增加注入载流子浓度的一致性，并在衰减曲线峰值逐渐减弱之后进行测量。
6.6 电场影响
如果 少 数 载流子被电流产生的电场扫出试祥的一端.少数载流子就不会形成衰减曲线。因此‘两种方法都需要用，块挡光板遮挡试样端面，使测试中扫出效应不显著。
6.了温度影响
半 导体 中 杂质的复合特性受温度强烈影响，控制测量时的温度就相当重要。在相同温度下进行的测量才可以作比较
6.8 杂质复合中心影响
不同 的 杂 质中心具有不同的复合特性，当试样中存在一种以上类型的复合中心时·观察到的衰减曲线可能包含两个或多个具有不同时问常数的指数曲线，诸曲线合成结果也不呈指数规律，测量不能得出单一寿命值C光片的影响
滤光片本身有信号，它和试样信号叠加产生测试误差因此应选择厚度1 nim,与被测试样材料相信号较弱（低寿命值）的滤光片
试剂和材料
目︺月、
已同
了.1 纯水
25 C 时 电阻率大于2M O.cm的去离子水。
7.2 研磨材料
氧化 铝 粉 ，颗粒范围为5^1 2.Fm
7.3 欧姆接触材料
在试 样 端 面应形成欧姆接触，可使用镍、锗或金电镀浴，要避免铜沾污，对硅试样.可用一小滴3i滴在金刚砂布上，并使用加热盘将试样加热至35 Co
Define:交联度是指EVA分子经过交联反应达到不溶不熔凝胶固化的程度。
Principle:是将EVA样品置于二甲苯中萃取，未经交联的EVA全部溶到二甲苯中，已交联的EVA不溶，通过残留试样量与试样总量的比值确定交联度。
Equipmentreagent:
1、仪器装置及器具
磨口圆底烧瓶、回流冷凝管、电加热油浴、真空烘箱、不锈钢丝网袋
2、试剂
二甲苯:A.R级、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚（抗氧剂264）
Step：
1、试样制备
取胶膜一块,将TPT/胶膜/胶膜/玻璃叠合后,按平时一次固化工艺固化交联,（或者按厂家工艺要求固化交联）将已交联好的胶膜剪成小碎片待用.
2、不锈钢丝网袋（120目）制备
1洗净，晾干，放入100℃左右的烘箱烘干，冷却。
2剪取80mm×40mm,对折成40mm正方形,两侧对折进6mm后固定,制成顶端开口的袋。称重为W1。
3、试验步骤
1取试样0.5g±0.01g,放入不锈钢丝网袋中,称重为W2。
2封住袋口作成试样包,并称重为W3。
3 试样包用细铜丝悬吊在回流冷凝管下的烧瓶中,烧瓶内加入1/2二甲苯溶剂,加热到140℃左右,溶剂沸腾回流5h～6h时 ,回流速度保持20滴/分～40滴/分.
4冷却取出试样包,悬挂除去溶剂液滴,然后放入真空烘箱内,温度控制在140℃,真空度为0.08Mpa,干燥3h,除去溶剂.
5将试样包从真空烘箱内取出,放置干燥器中冷却20min后,取出称重为W4精确到0.01g
结果计算 C=[1-（W3-W4）/（W2-W1）]×100 式中:
C—交联度% W1—空袋重量g
W2—装有试样的袋重g W3—试样包重g
W4—经溶剂萃取和干燥后的试样包重g
分析与结果
本标准采用下列定义
3.1
式中
表观寿命filament life（;、
光电导电压衰减到初始值的1;。时的时间常数"（ps），用公式（1）表Y
△V 二 AV e xp （一 t＇ r ） ·· ⋯ ，.门 日.时 钾·· ··· ··· ··· ·⋯ ⋯ （ 1
AV AV光电浮电压.V;
光电导电压的峰值或初始值,V:
，-一一时问，“、
r,. 表观寿命.1-
4 方法提要
4. 1 方法A— 在两端面为研磨表而并具有欧姆接触的单一导电类型的半导体单品试样I通直流电流，用示波器观察试样!的电压降对试样施一脉冲光，在试样中产生非平衡少数载流子，同时触发波器扫描。从脉冲光停止起电压衰减的时间常数可由示波器扫描测得当试样中电导率调幅I仁常小日寸，所观察到的电压衰减等价于光生载流子的衰减，因此电压衰减的时间常数就等于非平衡少数载流子晨减的时问常数，少数载流子寿命即由该时间系数确定必要时，应消除陷阱效应和对表向复合及过址电导率调幅进行修正
4. 2 方法s— 本方法只适用于硅。光源为斩切光而非脉冲光，其他与方法n相同光源波长为
1.0- 1 .1k m本方法需满足小注入条件以避免过量电导率调幅的影响。信号进入示波器以前可对信号进行调节，对表面复合需进行修正
本方 法 不 适用于测试条件卜呈十指数规律变化信号的试样
5 意义和用途
本标 准 只 适用于研究、开发和过程控制，不适用于抛光片的验收测试对于一般非仲裁性的测试‘可使用本标准的附录n
6 干扰因素
6.1 陷阱效应影响
室温 卜的 硅和低温状况下的锗，载流子陷阱会产生影响。如果试样中存在电子或空穴陷阱.脉冲光停止后，非平衡少数载流子将保持较高浓度并维持相当长一段时间，光电导衰减曲线会出现一条民长的尾巴在这段衰减曲线卜进行测量将错误地导致寿命值增大
6.1.1 沿衰减曲线进一步延伸.由至低端进行测量，若时间常数增加，可判定存在陷I湃效应（消除方法见10.1.9）
6门.2 当试样中陷阱效应超过衰减曲线总幅度的s环（方法A）或衰减曲线呈柞指数规律变化时〔方法B）就不能用本方法测量少数载流子寿命
6.2 表面复合影响
6.2.1 表面复合会影响寿命测量，特别是使用小块试样时。表3给出了推荐试样尺寸对应的表Iil复合率.在“计勇”一章中也给出了表面复合修IF的一般公式当试样表面积与体积之比很大时.吏石必要进
行修正
6.2.2 若对表面复合修正太大，会严重降低测敏的性建汉对测量值的修正不要超过测I,l.俏倒数的t/z（Pp表观寿命须大于体寿命的一半，或表面复合率不大于休寿命的倒数，见土户壮公式（1 标盯头形试个刊听测定的*人体寿命值列于表艺GB/T 1553一1997表3 表而复合率R材料类型八}ttj 13 类型〔介﹃﹃价口口口朴P型锗n型锗p型硅n型0. 032 300.015 750. 011 200.00420
6.3 注入量的影响测量 时 试 样电导率调幅必须很小，这样试样卜电势差的衰减才等价于光生载流子的衰减
6.3门方法A:当试样上直流电压调幅AV,）,/V,超过0.01时，允许进行修正
6.3.2 方法1i不允许作这种修正此处小注入条件是指在连续光照F稳定存ti -T试样中1t入的少数载流子浓度与平衡的多数载流子浓度之比小于。.加1〔见10.2. 10 ）o 若光注人小能降低到小注入值‘试样就不宜用本方法测量
6.4 光生伏应影响
试 样 电 阻率不均匀会产生使衰减信号扭曲的光电压一一光生伏应方法八和方法B（见10.1.5和10.2.6）都给出了判定是否存在这种光生电压的方法在没有电流通过时就呈现光电压的试样不适宜用本方法测量。
6.5 光源波长的影响
光生 载 流 子大幅度衰减会影响曲线的形状尤其在衰减初期使用脉冲光时，这种现象更为显著。因为脉冲光源比斩切光源注入的载流子初始浓度一致性差，方法A耍求使用滤光片以增加注入载流子浓度的一致性，并在衰减曲线峰值逐渐减弱之后进行测量。
6.6 电场影响
如果 少 数 载流子被电流产生的电场扫出试祥的一端.少数载流子就不会形成衰减曲线。因此‘两种方法都需要用，块挡光板遮挡试样端面，使测试中扫出效应不显著。
6.了温度影响
半 导体 中 杂质的复合特性受温度强烈影响，控制测量时的温度就相当重要。在相同温度下进行的测量才可以作比较
6.8 杂质复合中心影响
不同 的 杂 质中心具有不同的复合特性，当试样中存在一种以上类型的复合中心时·观察到的衰减曲线可能包含两个或多个具有不同时问常数的指数曲线，诸曲线合成结果也不呈指数规律，测量不能得出单一寿命值C光片的影响
滤光片本身有信号，它和试样信号叠加产生测试误差因此应选择厚度1 nim,与被测试样材料相信号较弱（低寿命值）的滤光片
试剂和材料
目︺月、
已同
了.1 纯水
25 C 时 电阻率大于2M O.cm的去离子水。
7.2 研磨材料
氧化 铝 粉 ，颗粒范围为5^1 2.Fm
7.3 欧姆接触材料
在试 样 端 面应形成欧姆接触，可使用镍、锗或金电镀浴，要避免铜沾污，对硅试样.可用一小滴3i滴在金刚砂布上，并使用加热盘将试样加热至35 Co
8 测试仪器
Mol试电路图脉冲（方法A）或斩切（方法B）光源，光源须在光强从值减小到其10%时关断，或关断时间小于， 门产a c。测试样寿命时间的1/5或更少。用于硅试样测量的光源光谱分布的值应在波长范围1. 0-1.1 p m以内。
8.2.1 方法A- Al闪光管或放电管，配备。01 fF的电容器U及可提供频率为2-60 Hz脉冲的高压电源光源应在。3k s内达到光强，并在小于。.5 k s内光强由值下降不大于5% 采用更小的电容可获得更短的脉冲宽度，适合测量表观寿命低于5ks的试样
8.2.2 方法B- 脉冲发生器光源，用以产生周期性方波光脉冲，脉冲幅度、高度和间隔应单独可调，脉冲宽度和间隔的可调范围*少应在5-20 lxs之间，光源辐射能应足够大，测量信号*小不低于1 mV;光脉冲上升沿和下降沿两个时间系数均应小于被测表观寿命值的1/5。脉冲发生器还应为信号调节器和示波器提供触发信号。
注: 具 有 所提供特性的光源是一个发光二极管（LED），其关断时间约为。.1 ,p 此外，用机械转动法把光斩切为频率 15 H z ,4 5H z 或 77H :的A6 -V, 8- A钨带状灯丝灯，适用于表观寿命不小干5J..,的测量。
83 电源
电源 应 稳 定并经过良好滤波，应在试样上产生不低于5V的直流电压。电路中的串联电阻R,值至少是试样电阻R及接触电阻R。之和的2。倍，电路中还应有对试样电流换向及切断电流的开关装置
8.4 试样夹具及恒温器
隔热 试 样 夹具及恒温器应使试样处于规定温度27士1七，夹具与试样的整个端面应保持欧姆接触.
并至少应使试样四个侧面中的一个侧面处于光照下注 制 作 与试样端面成欧姆接触的试样夹具的方法较多，建议使用金属带或纤维的压力接触，也可用厚铅板或im板
8.5 滤光片
滤光 片 应 双面抛光，由与试样相同的材料制成.厚度为1m m，直接放置在矩形窗孔膜片的上方（仅用于方法A，见8.5）
86 矩形窗孔膜片放置 于 靠 近试样的光照表面，光透过矩形窗孔膜片，只能照射到试样的部分区域对方法A，光照区域是长度L,=L%2宽度W;= W/ 2;对方法B，光照区域是长度L;=3.。士。.1 m m,宽度W二W 两种方光 照 部 位都在试样中央位置
8，7 电信号测量线路
8.了.1 前置放大器— 具有可调的高、低频频带范围.低频截止频率从。.3 H- 30 Hz可调。
8.了.2 信号调节器— 脉冲取样均衡器或波形整形器，用于改善小信号时的信噪比仅用于方法B为小注入条件而减少光照时采用。
8.7.3 示波器— 具有合适的时间扫描和信号灵敏度及经校准的时间基线，其精度和线性度都优于3%，并能被试验信号或外部信号触发，还应配备有助于分析衰减曲线的透明屏幕，其要求如下
a） 对 方 法A,规定屏幕尺寸在10cmx10cm以内一该尺寸有利于减小视差。
4 对电路总体要求:
a）校正垂直扫描灵敏度至。.1 mv/cm或更好;
b）校正垂直增益和扫描线性度在3%以内;
c）响应时间输人信号以步进方式变化时，输出信号的衰减不超过所测*小表观寿命值的1/5
d）脉冲没有明显的变坏现象，如过冲或阻尼效应。
研 磨设备
8.9
8.10
能把试样的所有表面加工成光滑、平整的表面。
清洗和干燥设备
可用水冲洗或超声清洗。干燥设备提供干燥氮气吹干试样。
试样 尺寸测量工具
精度为。.01 m m的千分尺或游标卡尺。
9.1
试样制备
从晶 体上指定区域切取试样，长度为L,厚度为T.宽度为W，如表1所示对方法B,推荐使用尺
寸类型B和类型C,测量、记录所有尺寸，精确到0.1 m m}
注 :较 低 寿命值的材料侧量宜使用较小尺寸的试样直拉硅单晶的侧量大都使用类型 B,而区熔硅单晶的测 WE建议
采 用类 型 C。
9.2 测量前，用氧化铝粉研磨试样使试样的六个表面成为平整的磨面
9.3 将研磨后的试样用超声情洗或用水冲洗，用干燥氮气吹干试样端面应清洁于净.有利形成;e% 1`t
欧姆接触
9.4 在试样的两个整个端面上制作欧姆接触
注 推 荐 在锗试样的端面镀镍、锗或金，镀膜过程中应避免铜沾污;对硅试样办法是把试样加热到as（. （＇i}研
磨端 面 ， 防 止滴 在 金 刚砂布上的稼形成锦污点也可在n型硅试样端面镀镍，在pttj硅试样端面镀铭-
9.5 如果试样导电类型是未知的，可按GB/T 1550测定
9.6 测试接触点:
9.6.1 将试样置于夹具中，以一个方向接通电流，在试样上形成2－－5 V的电压，记录该电压降10
9.6.2 改变电流方向.记录试样r.电压降V,
9.6.3 如果v一与v 的差小于5写，则试样具有欧姆接触
9.7 按GB/T 1551测量和记录并修正其至27 C时的电阻率
10 测量步骤
10.1 方法A一一脉冲光方法
10.11 用试样夹具夹紧试样，定位于膜片的矩形窗孔处.使试样的中央处于光照F.,测量并记录试祥
夹具的温度，取值士1C
10.1.2 开启光源，将前置放大器与示波器接通
10,1.3 接通电源，调整电流，在试样上产生2一5V电压。
怕.1.4 使观察到的衰减曲线与画在示波器透明屏上的标准指数曲线一致（见8.7.3,））.方法如F
a） 调 节垂 直位移旋钮，使观察到的衰减曲线的基线与标准指数曲线的基线重合调节时间基准扫
描速度于一较低值，使屏幕横向上出现多个衰减曲线，以易于调节
b） 延 长 时间基准以产生一个单周期信号图样，调节水平位移、垂直放大和时间基准扫描速度，直到
观察到的曲线与标准指数曲线尽可能吻合，脉冲峰值△V,与标准曲线左边L方点致
10-1.5 侧试试徉是否存在光生伏应:关断电流，保留光照，其他旋钮不动，观察示波器是否检测到
一个 光电压信号如果检测到一个超过脉冲峰值1%的信号，则试样中存在光生伏应.该试样不适
合用 本方法测量
10-1.6 若未观察到上述光电压信号且衰减曲线呈纯指数曲线，则可由（3）式确定表观寿命rFC}s ）;
7r = 2. 5 ·S , ··· ·· ··· ··· ·· ·· ··· ··· ·⋯ ⋯ （ 3 、
式中:S,-一时间基准扫描速度，Ks/c mo
10.17 若示波器时间基准未经校准，则标准指数曲线不适用，表观寿命可如下确定:旋转时间基准扫
描速度至一合适分度值S,（Ps/cm）,测量衰减曲线t任意两点间幅度比为2: 7 的水平距离M（cm）,由
（仲 式计算TF
介 一 1. 4 411 俗 ·· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ·⋯ ⋯ （ 4 ）
当不 其 备 屏 幕 标准曲线（见8.7. 3a ））时，也可用该步骤
10. 1.8 当观察到的屏幕衰减曲线呈非纯指数曲线但接近t"纯指数曲线时，表观寿命可由曲线低端的
几对 点确定
a） 若 试 样 的 一半或少于一半的宽度已受光照，表观寿命从信号衰减到其峰值的60/以后的曲线部
分来 测定;
b） 若 试 样 一半 以t的宽度已受光照，表观寿命从信号衰减到其峰值的25%以后的曲线部分来测
定 :
。〕 L 述 两 种 情况都要增加垂直增益以延长衰减曲线使指定部分达到屏幕垂直满刻度，调节时问
缝准 扫描到一合适分度值S2（ks/cm），使衰减曲线的指定部分尽可能达到屏幕水平满ail度，测峨曲线t
幅度 比为2:1的任意两点间水平距离M（cm）,由（5）式计算表观寿命:
TF.、 一 1 .4 4M S ,. ·
重复 卜述 过程两遍以卜，得到=F=,=Fs等;
d） 确 定 和记录平均表观寿命:F，即rF，的平均值。若rp;之问差值超过切% 则该试样不适合用术方
法测址
l: 特 别 是在p型硅的情况卜寿命随载流子浓度雨数变化非常迅速，在宽范围内取得的平均仇生的1吴差可能很
大
10门9 试样是否存在陷阱效应由表观寿命值的变化来确定。诸寿命值从小J几衰减曲线峰值（}L＇>）的
25%的曲线部分来测定。若寿命值在沿曲线更低处测量时反而增加，则存在陷阱把试样加热到5。严-
刊C或用一稳定的本底光照射试样，可消除陷阱效应若陷阱的影响超过曲线总幅度的5%，则该试杆
不适于用本方法测量。
10.1门0 检查是否满足扫出条件
a） 关 断 光源，测量试样上直流电压V,;
b） 计 算 V*与:r的积，若乘积不大于表4给出的对应常数，则满足扫出条件，即扫出效应不显著，进
行10. 1. 11操作;
c） 表 4 给出的常数，仅用于推荐长度的试样，其他长度的试样，其条件由（6）式给出:
Va c· r, 毛 3 0L /p
式中:1.— 试样长度·mm;
k— 少 数载 流 子迁移率，cm,/V ·s（见表4）;
rF— 表 观寿命，has
d） 若 不 满足扫出条件，可降低试样电流来减小V, 这将会改变曲线形状.1F值也将发生变化
。） 重 复从 10.1.4- 10.1.10d）的操作，直至:F值是一个常数且满足扫出条件。
表 4 少 数 载 流 子 迁 移 率 与 方 法 A推荐试样长度对应的扫出条件常数
材料迁移率,cm＇/V.; 类型A 类型B和C
p型锗
n型锗
p型硅
n型硅
7.3
飞1
12
2眨）
12
土8
艺O
只只
0 0 0 0
8 8 魂47
10.1.11
10. 1.11.1
10. 1.11. 2
10.1.11. 3
检查是否满足小注入条件
用与 满足扫出条件相同的电流值.开启光源.测量脉冲峰值,w
若 △叭/叭镇0.01，则满足小注入条件.进行“计算”.
若 △vo/v,>0.01，则按（7）式修正表观寿命
10.1IT.f
二T＇.-,C1 一（AVIly ）〕
（6）
门
习
（7）
式中:r曰〕肥肥— 飞。.1.6中测量或
表观寿命修正值
7中计算的表观寿命值;
10.2
10.2.1
温度
10-2.2
10.2.3
方法is一一斩切光方法
用夹 具夹紧试样于定位膜片矩形窗孔处，使试样中央位置处于光照「.测量并记录试样夹具的
开启光源连接前置放大器与示波器
接通电源并调节电流，使试样上产生2－－-5 v电压，调节脉冲幅度、示波器垂直增益及扫描速度
旋钮，使示波器上出现几个单周期信号。
10-2.4 调节脉冲宽度，使脉冲幅度达到饱和值△v 在脉冲关断之前同时调节脉冲截止时间.使信勺
到达两个脉冲间的基线（直流电压值）
10.2. 5 调节T波器扫描速度旋钮、电流及脉冲幅度，使示波器屏幕上出现的单周期信号图形具了声洲检测对象 仪器名称
光伏组件 绝缘耐压测试仪
热循环-湿热-湿冻试验机
机械载荷试验机
冰雹撞击试验机
紫外预处理试验机
盐雾腐蚀试验箱
热斑耐久/光老练/预衰减试验机
EVA检测仪器 EVA交联度测试系统
剥离强度试验机
表面张力仪
EVA封装模
TPT检测仪器 抗划伤试验机
透气/透湿性测试仪
电荷测量仪
绒面钢化玻璃检测仪器 透光率/雾度测定仪
弯曲度测试仪
落球冲击试验机
应力测试仪
霰弹撞击试验机
涂锡焊带检测仪器 低电阻测试仪
熔点测定仪
接线盒检测仪器 引线端强度试验机
硅胶检测仪器 邵氏硬度计
环境试验箱 盐水喷雾试验机
氙灯耐气候试验箱
恒温恒湿试验机
紫外光老化试验机伏太阳能系统 测试方案
测试范围 测试仪器 测试指标
★TPT（PVF），EVA（PVB）树脂检测 抗划伤试验机透气/透湿性测试仪电荷测量仪（无线电干涉仪）EVA交联度测试系统剥离强度试验机表面张力仪 检测树脂材料的性
★绒面钢化玻璃检测 透光率/雾度测定仪弯曲度测试仪落球冲击试验机霰弹撞击试验机应力测量仪 检测钢化玻璃的性
★密封硅胶检测 邵氏硬度计万能材料试验机挤出性试验装置 检测密封部位的性
★组件接线盒检测 可程式恒温恒湿试验机盐雾腐蚀试验箱可接触性试验指喷淋装置 检测连接部位性
★材料试验 跌落试验机RCA纸带耐磨试验机TABER耐磨试验机拉压力试验机电磁振动试验机万能材料试验机 检测机械特性
★光伏组件检测 外观目测系列仪器户外曝晒架
I-V曲线测试仪 检测电路板电路性能
热循环-湿热-湿冻试验机湿漏电流测试系统及喷淋装置机械载荷试验机冰雹撞击试验机
脉冲太阳模拟器 单体电池和小尺寸组件的测试
稳态太阳模拟器（热斑耐久/光老练试验机） 大尺寸组件的测试.被测电池热输入可以忽略.
紫外预处理试验机
辐照度仪,日照强度计 积分式照度，发光强度测量
盐雾腐蚀试验箱
★铝合金框检测 原子吸收光谱仪紫外可见分光光度计 将成分复杂的光分解为光谱线，检测多种微量金属元素
分光束显微镜
色度色差仪 三刺激值、色品坐标、主波长及色差值,用于测色、配色和颜色的比较。
盐雾腐蚀试验机（CASS试验）TABER耐磨试验机
★涂锡焊带检测 原子吸收光谱仪
低电阻测试仪 用于变压器、电机线包绕组，电感线圈的直流电阻的测试，继电器、开关、接插件的接触电阻测量导线电阻、元器件焊点的接触电阻，印制板铜箔线条及焊孔电阻等各种导体的微小电阻值的测量。
万能材料试验机熔点测定仪
★硅电池检测 表面轮廓仪 测量各种精密机械零件的素线形状，直线度、角度、凸度、轮廓度、倾斜度、平行度、对数曲线、槽深、槽宽、沟曲率半径、沟边距、沟心距等参数。
单晶少子寿命测试仪 测量单晶硅少数载流子寿命。
电阻率仪
红外成像仪 测试组件发热情况，测隐性裂纹，测量玻璃表面温度，电池颜色及表面和背面印刷瑕疵，突起、凹陷；破片率。
等离子体质谱仪 应用于医药、环保、食品、生物、冶金等领域的微量元素，稀土元素、重金属元素等的分析
标准电池电池片（脉冲）太阳模拟器
I-V曲线测试仪 测量Pmax, Imax, Vmax, Isc,Voc,FF,Eff,Rs,Rsh以及I-V曲线。可找出太阳能模组功率的工作点 （Vmaxp, Imaxp） 量测功率时 （Pmax） 的电压 （Vmaxp） 电流 （Imaxp） 量测开路电压 （Vopen） 与短路电流 （Ishort） 移动指标可显示I-V特性曲线每一点的特性值
高稳定度，高精密电源
数据采集开关单元
高精度数字万用表示波器 观测电路各节点电压信号
电子负载 检测电池组件在室外真实自然条件下的实际效率，提供电池组件真实条件的转换效率，还可以对工作后电池组件的效率的变化进行跟踪，更换不良组件，提高发电效率。
★蓄电池检测 电池测试仪 测电池容量，电阻、电流、电压，内阻，充电，放电性能
逆变器检测仪控制器检测仪太阳能光伏系统检测仪 模拟各种 RLC交流负载，模拟逆变器各类工作环境，可以精确检测逆变器实际输出功率与带载能力，可以精确检测调试光伏逆变器的谐振点，主机内置有纯阻性负载和感性负载，功率输入采用分段式组合控制，可以任意组合各种功率输入。
★原子吸收及样品制备系统 微波消解样品制备系统高频红外碳硫分析仪原子荧光分光光度计CAAM-2001原子吸收光谱仪
紫外可见分光光度计 评价电池表面的反射性能和透射性能，以降低反射，透射。
积分球 用来收集从固体表面（例如光电池）反射出来的光（包括漫反射或者全反射），应用相应的样品固定附件，也可以用来测定太阳能电池材料的透射性能。
★光谱分析 SensAA系列原子吸收光谱仪Avanta系列原子吸收光谱仪Cintra系列紫外分光光度计 太阳能电池光谱响应测试，或称量子效率QE测试，或光电转化效率测试等，测量不同波长光照条件下的光电转换特性，对提高太阳能电池的生产工艺水平（例如制绒、扩散、背场等工艺）、判断硅片材料质量以及研究电池片的性能有重要的参考价值。
★环境试验 冷却水循环系统可程式恒温恒湿试验机盐水喷雾试验机氙灯耐气候试验箱紫外光老化试验机 模拟各种自然环境，如温度变化，湿度变化，及各种恶劣环境以确认太阳能电池能够承受环境变化，避免由此引起的疲劳和失效。
★整机测试 电源高精度数字万用表电子负载
静电放电测试仪耐压绝缘泄漏测试仪 安全规范测试
电磁干扰（EMI） 测试仪电磁抗扰度（EMS） 测试仪 设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰。关于更多EVA交联度测试仪请访问公司主页http://www.jryiqi.com/prodetail-2779505.html
Mol试电路图脉冲（方法A）或斩切（方法B）光源，光源须在光强从值减小到其10%时关断，或关断时间小于， 门产a c。测试样寿命时间的1/5或更少。用于硅试样测量的光源光谱分布的值应在波长范围1. 0-1.1 p m以内。
8.2.1 方法A- Al闪光管或放电管，配备。01 fF的电容器U及可提供频率为2-60 Hz脉冲的高压电源光源应在。3k s内达到光强，并在小于。.5 k s内光强由值下降不大于5% 采用更小的电容可获得更短的脉冲宽度，适合测量表观寿命低于5ks的试样
8.2.2 方法B- 脉冲发生器光源，用以产生周期性方波光脉冲，脉冲幅度、高度和间隔应单独可调，脉冲宽度和间隔的可调范围*少应在5-20 lxs之间，光源辐射能应足够大，测量信号*小不低于1 mV;光脉冲上升沿和下降沿两个时间系数均应小于被测表观寿命值的1/5。脉冲发生器还应为信号调节器和示波器提供触发信号。
注: 具 有 所提供特性的光源是一个发光二极管（LED），其关断时间约为。.1 ,p 此外，用机械转动法把光斩切为频率 15 H z ,4 5H z 或 77H :的A6 -V, 8- A钨带状灯丝灯，适用于表观寿命不小干5J..,的测量。
83 电源
电源 应 稳 定并经过良好滤波，应在试样上产生不低于5V的直流电压。电路中的串联电阻R,值至少是试样电阻R及接触电阻R。之和的2。倍，电路中还应有对试样电流换向及切断电流的开关装置
8.4 试样夹具及恒温器
隔热 试 样 夹具及恒温器应使试样处于规定温度27士1七，夹具与试样的整个端面应保持欧姆接触.
并至少应使试样四个侧面中的一个侧面处于光照下注 制 作 与试样端面成欧姆接触的试样夹具的方法较多，建议使用金属带或纤维的压力接触，也可用厚铅板或im板
8.5 滤光片
滤光 片 应 双面抛光，由与试样相同的材料制成.厚度为1m m，直接放置在矩形窗孔膜片的上方（仅用于方法A，见8.5）
86 矩形窗孔膜片放置 于 靠 近试样的光照表面，光透过矩形窗孔膜片，只能照射到试样的部分区域对方法A，光照区域是长度L,=L%2宽度W;= W/ 2;对方法B，光照区域是长度L;=3.。士。.1 m m,宽度W二W 两种方光 照 部 位都在试样中央位置
8，7 电信号测量线路
8.了.1 前置放大器— 具有可调的高、低频频带范围.低频截止频率从。.3 H- 30 Hz可调。
8.了.2 信号调节器— 脉冲取样均衡器或波形整形器，用于改善小信号时的信噪比仅用于方法B为小注入条件而减少光照时采用。
8.7.3 示波器— 具有合适的时间扫描和信号灵敏度及经校准的时间基线，其精度和线性度都优于3%，并能被试验信号或外部信号触发，还应配备有助于分析衰减曲线的透明屏幕，其要求如下
a） 对 方 法A,规定屏幕尺寸在10cmx10cm以内一该尺寸有利于减小视差。
4 对电路总体要求:
a）校正垂直扫描灵敏度至。.1 mv/cm或更好;
b）校正垂直增益和扫描线性度在3%以内;
c）响应时间输人信号以步进方式变化时，输出信号的衰减不超过所测*小表观寿命值的1/5
d）脉冲没有明显的变坏现象，如过冲或阻尼效应。
研 磨设备
8.9
8.10
能把试样的所有表面加工成光滑、平整的表面。
清洗和干燥设备
可用水冲洗或超声清洗。干燥设备提供干燥氮气吹干试样。
试样 尺寸测量工具
精度为。.01 m m的千分尺或游标卡尺。
9.1
试样制备
从晶 体上指定区域切取试样，长度为L,厚度为T.宽度为W，如表1所示对方法B,推荐使用尺
寸类型B和类型C,测量、记录所有尺寸，精确到0.1 m m}
注 :较 低 寿命值的材料侧量宜使用较小尺寸的试样直拉硅单晶的侧量大都使用类型 B,而区熔硅单晶的测 WE建议
采 用类 型 C。
9.2 测量前，用氧化铝粉研磨试样使试样的六个表面成为平整的磨面
9.3 将研磨后的试样用超声情洗或用水冲洗，用干燥氮气吹干试样端面应清洁于净.有利形成;e% 1`t
欧姆接触
9.4 在试样的两个整个端面上制作欧姆接触
注 推 荐 在锗试样的端面镀镍、锗或金，镀膜过程中应避免铜沾污;对硅试样办法是把试样加热到as（. （＇i}研
磨端 面 ， 防 止滴 在 金 刚砂布上的稼形成锦污点也可在n型硅试样端面镀镍，在pttj硅试样端面镀铭-
9.5 如果试样导电类型是未知的，可按GB/T 1550测定
9.6 测试接触点:
9.6.1 将试样置于夹具中，以一个方向接通电流，在试样上形成2－－5 V的电压，记录该电压降10
9.6.2 改变电流方向.记录试样r.电压降V,
9.6.3 如果v一与v 的差小于5写，则试样具有欧姆接触
9.7 按GB/T 1551测量和记录并修正其至27 C时的电阻率
10 测量步骤
10.1 方法A一一脉冲光方法
10.11 用试样夹具夹紧试样，定位于膜片的矩形窗孔处.使试样的中央处于光照F.,测量并记录试祥
夹具的温度，取值士1C
10.1.2 开启光源，将前置放大器与示波器接通
10,1.3 接通电源，调整电流，在试样上产生2一5V电压。
怕.1.4 使观察到的衰减曲线与画在示波器透明屏上的标准指数曲线一致（见8.7.3,））.方法如F
a） 调 节垂 直位移旋钮，使观察到的衰减曲线的基线与标准指数曲线的基线重合调节时间基准扫
描速度于一较低值，使屏幕横向上出现多个衰减曲线，以易于调节
b） 延 长 时间基准以产生一个单周期信号图样，调节水平位移、垂直放大和时间基准扫描速度，直到
观察到的曲线与标准指数曲线尽可能吻合，脉冲峰值△V,与标准曲线左边L方点致
10-1.5 侧试试徉是否存在光生伏应:关断电流，保留光照，其他旋钮不动，观察示波器是否检测到
一个 光电压信号如果检测到一个超过脉冲峰值1%的信号，则试样中存在光生伏应.该试样不适
合用 本方法测量
10-1.6 若未观察到上述光电压信号且衰减曲线呈纯指数曲线，则可由（3）式确定表观寿命rFC}s ）;
7r = 2. 5 ·S , ··· ·· ··· ··· ·· ·· ··· ··· ·⋯ ⋯ （ 3 、
式中:S,-一时间基准扫描速度，Ks/c mo
10.17 若示波器时间基准未经校准，则标准指数曲线不适用，表观寿命可如下确定:旋转时间基准扫
描速度至一合适分度值S,（Ps/cm）,测量衰减曲线t任意两点间幅度比为2: 7 的水平距离M（cm）,由
（仲 式计算TF
介 一 1. 4 411 俗 ·· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ·⋯ ⋯ （ 4 ）
当不 其 备 屏 幕 标准曲线（见8.7. 3a ））时，也可用该步骤
10. 1.8 当观察到的屏幕衰减曲线呈非纯指数曲线但接近t"纯指数曲线时，表观寿命可由曲线低端的
几对 点确定
a） 若 试 样 的 一半或少于一半的宽度已受光照，表观寿命从信号衰减到其峰值的60/以后的曲线部
分来 测定;
b） 若 试 样 一半 以t的宽度已受光照，表观寿命从信号衰减到其峰值的25%以后的曲线部分来测
定 :
。〕 L 述 两 种 情况都要增加垂直增益以延长衰减曲线使指定部分达到屏幕垂直满刻度，调节时问
缝准 扫描到一合适分度值S2（ks/cm），使衰减曲线的指定部分尽可能达到屏幕水平满ail度，测峨曲线t
幅度 比为2:1的任意两点间水平距离M（cm）,由（5）式计算表观寿命:
TF.、 一 1 .4 4M S ,. ·
重复 卜述 过程两遍以卜，得到=F=,=Fs等;
d） 确 定 和记录平均表观寿命:F，即rF，的平均值。若rp;之问差值超过切% 则该试样不适合用术方
法测址
l: 特 别 是在p型硅的情况卜寿命随载流子浓度雨数变化非常迅速，在宽范围内取得的平均仇生的1吴差可能很
大
10门9 试样是否存在陷阱效应由表观寿命值的变化来确定。诸寿命值从小J几衰减曲线峰值（}L＇>）的
25%的曲线部分来测定。若寿命值在沿曲线更低处测量时反而增加，则存在陷阱把试样加热到5。严-
刊C或用一稳定的本底光照射试样，可消除陷阱效应若陷阱的影响超过曲线总幅度的5%，则该试杆
不适于用本方法测量。
10.1门0 检查是否满足扫出条件
a） 关 断 光源，测量试样上直流电压V,;
b） 计 算 V*与:r的积，若乘积不大于表4给出的对应常数，则满足扫出条件，即扫出效应不显著，进
行10. 1. 11操作;
c） 表 4 给出的常数，仅用于推荐长度的试样，其他长度的试样，其条件由（6）式给出:
Va c· r, 毛 3 0L /p
式中:1.— 试样长度·mm;
k— 少 数载 流 子迁移率，cm,/V ·s（见表4）;
rF— 表 观寿命，has
d） 若 不 满足扫出条件，可降低试样电流来减小V, 这将会改变曲线形状.1F值也将发生变化
。） 重 复从 10.1.4- 10.1.10d）的操作，直至:F值是一个常数且满足扫出条件。
表 4 少 数 载 流 子 迁 移 率 与 方 法 A推荐试样长度对应的扫出条件常数
材料迁移率,cm＇/V.; 类型A 类型B和C
p型锗
n型锗
p型硅
n型硅
7.3
飞1
12
2眨）
12
土8
艺O
只只
0 0 0 0
8 8 魂47
10.1.11
10. 1.11.1
10. 1.11. 2
10.1.11. 3
检查是否满足小注入条件
用与 满足扫出条件相同的电流值.开启光源.测量脉冲峰值,w
若 △叭/叭镇0.01，则满足小注入条件.进行“计算”.
若 △vo/v,>0.01，则按（7）式修正表观寿命
10.1IT.f
二T＇.-,C1 一（AVIly ）〕
（6）
门
习
（7）
式中:r曰〕肥肥— 飞。.1.6中测量或
表观寿命修正值
7中计算的表观寿命值;
10.2
10.2.1
温度
10-2.2
10.2.3
方法is一一斩切光方法
用夹 具夹紧试样于定位膜片矩形窗孔处，使试样中央位置处于光照「.测量并记录试样夹具的
开启光源连接前置放大器与示波器
接通电源并调节电流，使试样上产生2－－-5 v电压，调节脉冲幅度、示波器垂直增益及扫描速度
旋钮，使示波器上出现几个单周期信号。
10-2.4 调节脉冲宽度，使脉冲幅度达到饱和值△v 在脉冲关断之前同时调节脉冲截止时间.使信勺
到达两个脉冲间的基线（直流电压值）
10.2. 5 调节T波器扫描速度旋钮、电流及脉冲幅度，使示波器屏幕上出现的单周期信号图形具了声洲检测对象 仪器名称
光伏组件 绝缘耐压测试仪
热循环-湿热-湿冻试验机
机械载荷试验机
冰雹撞击试验机
紫外预处理试验机
盐雾腐蚀试验箱
热斑耐久/光老练/预衰减试验机
EVA检测仪器 EVA交联度测试系统
剥离强度试验机
表面张力仪
EVA封装模
TPT检测仪器 抗划伤试验机
透气/透湿性测试仪
电荷测量仪
绒面钢化玻璃检测仪器 透光率/雾度测定仪
弯曲度测试仪
落球冲击试验机
应力测试仪
霰弹撞击试验机
涂锡焊带检测仪器 低电阻测试仪
熔点测定仪
接线盒检测仪器 引线端强度试验机
硅胶检测仪器 邵氏硬度计
环境试验箱 盐水喷雾试验机
氙灯耐气候试验箱
恒温恒湿试验机
紫外光老化试验机伏太阳能系统 测试方案
测试范围 测试仪器 测试指标
★TPT（PVF），EVA（PVB）树脂检测 抗划伤试验机透气/透湿性测试仪电荷测量仪（无线电干涉仪）EVA交联度测试系统剥离强度试验机表面张力仪 检测树脂材料的性
★绒面钢化玻璃检测 透光率/雾度测定仪弯曲度测试仪落球冲击试验机霰弹撞击试验机应力测量仪 检测钢化玻璃的性
★密封硅胶检测 邵氏硬度计万能材料试验机挤出性试验装置 检测密封部位的性
★组件接线盒检测 可程式恒温恒湿试验机盐雾腐蚀试验箱可接触性试验指喷淋装置 检测连接部位性
★材料试验 跌落试验机RCA纸带耐磨试验机TABER耐磨试验机拉压力试验机电磁振动试验机万能材料试验机 检测机械特性
★光伏组件检测 外观目测系列仪器户外曝晒架
I-V曲线测试仪 检测电路板电路性能
热循环-湿热-湿冻试验机湿漏电流测试系统及喷淋装置机械载荷试验机冰雹撞击试验机
脉冲太阳模拟器 单体电池和小尺寸组件的测试
稳态太阳模拟器（热斑耐久/光老练试验机） 大尺寸组件的测试.被测电池热输入可以忽略.
紫外预处理试验机
辐照度仪,日照强度计 积分式照度，发光强度测量
盐雾腐蚀试验箱
★铝合金框检测 原子吸收光谱仪紫外可见分光光度计 将成分复杂的光分解为光谱线，检测多种微量金属元素
分光束显微镜
色度色差仪 三刺激值、色品坐标、主波长及色差值,用于测色、配色和颜色的比较。
盐雾腐蚀试验机（CASS试验）TABER耐磨试验机
★涂锡焊带检测 原子吸收光谱仪
低电阻测试仪 用于变压器、电机线包绕组，电感线圈的直流电阻的测试，继电器、开关、接插件的接触电阻测量导线电阻、元器件焊点的接触电阻，印制板铜箔线条及焊孔电阻等各种导体的微小电阻值的测量。
万能材料试验机熔点测定仪
★硅电池检测 表面轮廓仪 测量各种精密机械零件的素线形状，直线度、角度、凸度、轮廓度、倾斜度、平行度、对数曲线、槽深、槽宽、沟曲率半径、沟边距、沟心距等参数。
单晶少子寿命测试仪 测量单晶硅少数载流子寿命。
电阻率仪
红外成像仪 测试组件发热情况，测隐性裂纹，测量玻璃表面温度，电池颜色及表面和背面印刷瑕疵，突起、凹陷；破片率。
等离子体质谱仪 应用于医药、环保、食品、生物、冶金等领域的微量元素，稀土元素、重金属元素等的分析
标准电池电池片（脉冲）太阳模拟器
I-V曲线测试仪 测量Pmax, Imax, Vmax, Isc,Voc,FF,Eff,Rs,Rsh以及I-V曲线。可找出太阳能模组功率的工作点 （Vmaxp, Imaxp） 量测功率时 （Pmax） 的电压 （Vmaxp） 电流 （Imaxp） 量测开路电压 （Vopen） 与短路电流 （Ishort） 移动指标可显示I-V特性曲线每一点的特性值
高稳定度，高精密电源
数据采集开关单元
高精度数字万用表示波器 观测电路各节点电压信号
电子负载 检测电池组件在室外真实自然条件下的实际效率，提供电池组件真实条件的转换效率，还可以对工作后电池组件的效率的变化进行跟踪，更换不良组件，提高发电效率。
★蓄电池检测 电池测试仪 测电池容量，电阻、电流、电压，内阻，充电，放电性能
逆变器检测仪控制器检测仪太阳能光伏系统检测仪 模拟各种 RLC交流负载，模拟逆变器各类工作环境，可以精确检测逆变器实际输出功率与带载能力，可以精确检测调试光伏逆变器的谐振点，主机内置有纯阻性负载和感性负载，功率输入采用分段式组合控制，可以任意组合各种功率输入。
★原子吸收及样品制备系统 微波消解样品制备系统高频红外碳硫分析仪原子荧光分光光度计CAAM-2001原子吸收光谱仪
紫外可见分光光度计 评价电池表面的反射性能和透射性能，以降低反射，透射。
积分球 用来收集从固体表面（例如光电池）反射出来的光（包括漫反射或者全反射），应用相应的样品固定附件，也可以用来测定太阳能电池材料的透射性能。
★光谱分析 SensAA系列原子吸收光谱仪Avanta系列原子吸收光谱仪Cintra系列紫外分光光度计 太阳能电池光谱响应测试，或称量子效率QE测试，或光电转化效率测试等，测量不同波长光照条件下的光电转换特性，对提高太阳能电池的生产工艺水平（例如制绒、扩散、背场等工艺）、判断硅片材料质量以及研究电池片的性能有重要的参考价值。
★环境试验 冷却水循环系统可程式恒温恒湿试验机盐水喷雾试验机氙灯耐气候试验箱紫外光老化试验机 模拟各种自然环境，如温度变化，湿度变化，及各种恶劣环境以确认太阳能电池能够承受环境变化，避免由此引起的疲劳和失效。
★整机测试 电源高精度数字万用表电子负载
静电放电测试仪耐压绝缘泄漏测试仪 安全规范测试
电磁干扰（EMI） 测试仪电磁抗扰度（EMS） 测试仪 设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰。关于更多EVA交联度测试仪请访问公司主页http://www.jryiqi.com/prodetail-2779505.html
