主要测试项目：
1．晶体的串联谐振频率FS。
2．晶体的负载谐振频率FL。
3．晶体的串联谐振电阻RR。
4．晶体的负载谐振电阻RL。
5．晶体的静电容C0。
6．晶体的负载电容CL。
7．晶体的频差ppm或KHz。
一、技术指标：
1．晶体频率测量范围：3―――６０ＭＨｚ。
2．等效电阻测量范围：０―――２００Ω。
3．静电容测量范围：　０―――２０ＰＦ。
4．负载电容的调整范围：１０―――４０ＰＦ。
5．激励电平的调整范围：１０―――５００ｕＷ。
6．晶体等效电阻的测量误差：≤５％。
7．负载电容和静电容的测量误差：　　≤＋／－０。１ＰＦ。
8．激励电平误差：　　　　　≤５０％。
9．工作温度范围：　　＋１５―――＋３５℃。
10．时基稳定度（10MHz）： 5×10-7
11．电源电压：　　　２２０Ｖac　＋／－１０％。
12．功耗： ≤１５W。