半导体晶圆PL光谱测试系统
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详细内容
面向半导体晶圆检测的光谱测试系统
物镜 | 5x NA=0.28 | 20x NA=0.40 | 100x NA=0.8 |
离焦量z分辨率 | < 1 μm | < 0.5 μm | < 0.06 μm |
激光光斑尺寸(焦点处) | ~2 μm | ~2 μm | ~1 μm |
测量时间(刷新频率) | < 20 ms(50 Hz),可调节100 Hz |
MicroLED微盘的荧光强度3D成像
性能参数:
荧光激发和收集模块 | 激光波长 | 213/266/375 nm |
激光功率 | 213nm激光器,峰值功率>2.5kw@1KHZ,266nm激光器,输出功率2-12mw可调 | |
自动对焦 | • 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪 • 对焦精度<0.2微米
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显微镜 | •用于样品定位和成像 •近紫外物镜,100X/20X,用于375nm激光器,波长范围355-700 nm •紫外物镜, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激发, 200-700 nm
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样品移动和扫描平台 | 平移台 | •扫描范围大于300x300mm。 •*小分辨率1微米。
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| 样品台 | •8寸吸气台(12寸可定制) •可兼容2、4、6、8寸晶圆片
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光谱仪 探测器
| 光谱仪 | •320 mm焦长单色仪,可接面阵探测器。 •光谱分辨率:优于0.2nm@1200g/mm
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可升级模块 | 翘曲度测量模块 | 重复测量外延片统计结果的翘曲度偏差<±5um |
紫外测量模块 | 5X紫外物镜,波长范围200-700 nm。应用于213 nm、266nm的紫外激发和侧面收集实现AlGaN紫外荧光的测量 | |
膜厚测试模块 | 重复测量外延片Mapping统计结果的膜厚偏差<±0.1um | |
荧光寿命测试模块 | 荧光寿命测试精度8 ps,测试范围50 ps-1 ms | |
软件 | 控制软件 | 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集 |
Mapping数据分析软件 | •可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。 •可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。 •将拟合结果以二维图像方式显示。
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