二氧化硅比表面测试仪

二氧化硅又称硅石。在自然界分布很广，如石英、石英砂等。白色或无色，含铁量较高的是淡黄色。密度2.2 ～2.66.熔点1670℃（鳞石英）；1710℃（方石英）。沸点2230℃，相对介电常数为3.9。不溶于水微溶于酸，呈颗粒状态时能和熔融碱类起作用。用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、硅铁、型砂、单质硅等。
贝士德仪器科技（北京）有限公司是国内外专业的二氧化硅比表面测试仪,比表面积测定仪,孔隙度分析仪,比表面积测试仪,比表面积分析仪生产（供应）商，主营产品有：二氧化硅比表面测试仪,比表面积测定仪,孔隙度分析仪,比表面积测试仪,比表面积分析仪等,贝士德仪器科技（北京）有限公司不仅具有国内外的技术水平，更有良好的售后服务和优质的解决方案,欢迎来电洽谈
3H-2000PS2型静态容量二氧化硅比表面测试仪
二氧化硅比表面测试仪优势特征：  
◆ 具有国内独立的高精度饱和蒸汽压（P0）实时测试站；
◆ 具有国内首家有氦气和无氦气可选测试功能；（有氦气可提高死体积测试精度，降低样品吸附误差）
◆ 具有国内精确的全自动液氮面伺服智能保持系统；
◆ 具有独立的真密度测试功能，可氦气测试，精确度高，独立报告；
◆ 具有国内外的测试、脱气完毕自动恢复常压功能，防止样品飞溅；
◆ 的智能自检流程，智能判断样品管是否安装，试管夹套是否拧紧有无漏气；
◆ 具有国内外首创的样品预处理普通模式和分子置换模式两种模式；
◆ 精确的分压点控制机制，可按设定要求对重点孔径段进行精细分析，分析点数可达千点；
◆ 清晰形象的图形化控制界面，并可在界面上进行所有硬件的控制操作；
◆ 具有国内的液氮杯防意外“安全下降”智能控制机制，完全避免了液氮杯意外下降气体膨胀使样品管爆裂的危险；
◆ 超强的稳定性，即使意外断电、断线，亦不会丢失当前数据，且实验可恢复继续进行；
◆ 强大的实验报告数据库化管理功能，可按多种方式进行报告查询、比较与分类管理；
◆ 数据报告小窗口自动预览功能，同时显示结果与曲线；
◆ 原始测试数据导出导入，PDF报告单个导出、批量导出；
◆ 全程自动化智能化运行，亲和的真人语音操作提示；
◆ 详尽的仪器运行日志显示与记录，每次实验全自动过程中的所有硬件动作与流程进展的均有记录，时间精确到秒，方便过程查询与故障反馈；
◆ 仪器配置芯片记忆功能，实现人工对仪器硬件参数的零配置；
◆ 软件界面详尽的操作帮助与指示功能，未经培训人员几乎只需按照帮助信息就可实现对软件的应用；
◆ 具有便捷的液氮杯自动加盖；
◆ 软件界面自定义风格转换；
◆具有局域网及INTERNET远程控制功能
 
二氧化硅简介
管制信息
　　本品不受管制。但不可带入飞机。
名称
　　中文名称：二氧化硅 　　中文别名：硅氧 ,硅土 ,硅石 ,硅酐 ,石英砂 　　英文别名：Silicon dioxide SiO? ,Silicon（IV）oxide ,Silicic anhydride ,Quartz sand 　　CAS号：14808-60-7[1]
储存
　　密封保存。
用途
　　硅标准液。水玻璃，硅的化合物的制备材料。在晶体管和集成电路中作杂质扩散的掩蔽膜和保护层,制成二氧化硅膜作集成电路器件。玻璃工业。
AR质检信息指标值
　　水可溶物，% ≤0.2 　　重金属（以Pb计），% ≤0.005 　　钙（Ca），% ≤0.005 　　铁（Fe），% ≤0.005 　　氯化物（Cl），% ≤0.005 　　硫酸盐（SO4），% ≤0.005 　　氢氟酸中不挥发物，% ≤1.0 　　干燥失量，% ≤3.0
编辑本段性质
物理性质
　　[1]二氧化硅又称硅石，化学式SiO?。自然界中存在有结晶二氧化硅和无定形二氧化硅两种。  沙状二氧化硅
结晶二氧化硅因晶体结构不同，分为石英、鳞石英和方石英三种。纯石英为无色晶体，大而透明棱柱状的石英叫水晶。若含有微量杂质的水晶带有不同颜色，有紫水晶、茶晶、墨晶等。普通的砂是细小的石英晶体，有黄砂（较多的铁杂质）和白砂（杂质少、较纯净）。二氧化硅晶体中，硅原子的4个价电子与4个氧原子形成4个共价键，硅原子位于正四面体的中心，4个氧原子位于正四面体的4个顶角上，SiO?是表示组成的*简式，仅是表示二氧化硅晶体中硅和氧的原子个数之比。二氧化硅是原子晶体。 　　SiO?中Si—O键的键能很高，熔点、沸点较高（熔点1723℃，沸点2230℃）。 　　自然界存在的硅藻土是无定形二氧化硅，是低等水生植物硅藻的遗体，为白色固体或粉末状，多孔、质轻、松软的固体，吸附性强。
化学性质
　　化学性质比较稳定。不溶于水也不跟水反应。是酸性氧化物，不跟一般酸反应。气态氟化氢跟二氧化硅反应生成气态四氟化硅。跟热的浓强碱溶液或熔化的碱反应生成硅酸盐和水。跟多种金属氧化物在高温下反应生成硅酸盐。用于制造石英玻璃、光学仪器、化学器皿、普通玻璃、耐火材料、光导纤维，陶瓷等。二氧化硅的性质不活泼，它不与除氟、氟化氢以外的卤素、卤化氢以及硫酸、硝酸、高氯酸作用（热浓磷酸除外）。常见的浓磷酸（或者说焦磷酸）在高温下即可腐蚀二氧化硅，生成杂多酸[2]，高温下熔融硼酸盐或者硼酐亦可腐蚀二氧化硅，鉴于此性质，硼酸盐可以用于陶瓷烧制中的助熔剂，除此之外氟化氢也可以可使二氧化硅溶解的酸，生成易溶于水的氟硅酸： SiO? + 4HF = SiF4↑ + 2H?O 　　酸氧通性： 　　二氧化硅与碱性氧化物 　　SiO? + CaO =（高温） CaSiO3 　　二氧化硅能溶于浓热的强碱溶液： 　　SiO? + 2NaOH = Na2SiO3+ H?O 　　（盛碱的试剂瓶不能用玻璃塞而用橡胶塞的原因） 　　在高温下，二氧化硅能被碳、镁、铝还原： 　　SiO?+2C=（高温）Si+2CO↑ 　　若c过量，则发生反应： 　　Si+C=高温=SiC（金刚砂） 　　硅酸酸酐：二氧化硅（SiO2）。　 　　二氧化硅不与水反应，即与水接触不生成硅酸，但人为规定二氧化硅为硅酸的酸酐。
矿物介绍
　　二氧化硅矿物是指化学式相同（SiO?），但结构有差异的矿物，这些矿物统称为类质异像体，主要包括石英、方石英和鳞石英。这些矿物在地球上主要存于花岗岩、砂岩和黑硅岩中，而月球上几乎缺乏，主要原因是：化学成分演化上，月球形成一个低硅、高铝的月壳，高硅的花岗质岩石极为稀少；月球在演化上缺乏像地球一样有一个可以结晶出二氧化硅矿物的水系和热水体系。尽管二氧化硅矿物在月球岩石上极为稀少，但对月球岩石的分类和成因的研究具有重要的作用。   二氧化硅抗结剂
　　月球上的石英矿物*早是在几块类花岗岩碎处中发现的，在霏细岩中同时也充填了不少方石英矿物，从其微细结构和成分的分析表明，这些石英实际上是由方石英变化过来的。后来在粗晶状的月球花岗岩碎块中也发现有石英矿物，根据其同位素的分析结果，这些矿物是41亿年左右，在较深的环境下结晶形成的，说明这些石英不是在岩浆岩形成期间结晶形成的。 　　月海武岩中的二氧化硅矿物绝大多数是方石英，体积百分数*多可达5%，几乎没有石英矿物，只有在细晶状月海玄武岩中才存在少量的石英矿物，这些方石英具有典型的双晶结构表明：在熔浆冷却过程中，从高温到低温条件下形成的方石英都有。另外，在一些粗晶状的月海玄武岩中也同时存在方石英和鳞石英，但从结构特征看，方石英是由鳞石英转变的，因为鳞石英一般是镶嵌在于不规则的颗粒之间。
二氧化硅比表面测试仪性能简介：
测试方法： 静态容量法
分析站数量：具有2个样品分析站，1个P0测试站，2个样品脱气站；
测试精度： 测试精度高、重现性好。重复性误差小于±2%；
测试范围：比表面0.01m2/g以上，微孔0.35-2nm；介孔2-50nm；大孔50-500nm；样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等可装入样品管的材料。
测试气体种类：N2，及其它吸附气体CO2，Ar，Kr,He、甲烷（CH4）、苯（C6H6）、甲苯（C7H8）、乙醇（C2H5OH）等；
P0测试：具有独立的饱和蒸汽压（P0）测试站，保证分压测试的高准确性；
压力测试：原装进口压力传感器；压力测试范围0-1.6bar（0-160KPa），精度误差≤0.15%；微孔段分压P/P0可达到1*10-7，点数大于50个；大孔段具有P0的实时测试功能，使P/P0在趋于灵界点时的控制精度达到0.998。
样品预处理： 同时处理样品数量：2个；两路脱气站具有独立温控，并具有独立定时功能，可支持与测试同步进行的不同温度与不同时间的样品脱气处理；
样品预处理模式：具有国内的“普通加热抽真空分子扩散模式”和“分子置换模式”两种可选功能；分子置换模式相对分子扩散模式效率提高1倍以上，可节省一半以上的预处理时间，解决以往静态法样品制备时间长的问题；
二氧化硅比表面测试仪测试效率： 智能投气量控制，中小吸附量样品2-3min/分压点，中大吸附量样品3-5min/分压点；BET多点法15-30min/1个样品；BET单点法6-10min/1个样品；标准孔径测试60-120min/1个样品；精细孔径测试120-300min/1个样品；以上测试时间不包含样品预处理时间；
液氮面控制：具有液氮面伺服保持系统，消除测试过程中由于液氮挥发使液氮面变化而带来的死体积变化，提高测试精度；
图形化控制界面：亲和的控制监视界面，将复杂的仪器工作状态以结构图的形式展现，使仪器的工作状态一目了然，并可在结构图上对各个阀门、真空泵、氮杯升降梯、温控等所有硬件进行操作，赏心悦目；
二氧化硅比表面测试仪智能自检系统：仪器具有硬件自检和气路气密性自检功能，能够自动检测样品管是否安装、试管夹套是否拧紧，并检查并确定漏气位置，给出文字提示和语音提示。
语音提示：具有独特的智能语音提示功能；
远程控制：可通过局域网或INTER网远程对仪器进行操作，此功能主要方便售后及操作者可在办公室实现远程对实验室内仪器的操作控制及测试过程；

二氧化硅比表面测试仪测试理论与报告内容：
 1、吸附、脱附等温线；
 2、BET单点法比表面SBET-O
 3、BET多点法比表面SBET-M  ，BET常数CBET     
 4、朗格缪尔（Langmuir）比表面S Langmuir ，朗格缪尔平衡常数b Langmuir  
 5、统计吸附层厚度法外比表面（STSA）S外
 6、粒度估算报告和真密度；
 7、BJH法孔容孔径分布；（微分、积分孔体积、孔面积、孔径分布，柱状图、曲线图）
 8、MK-plate法（平行板模型）孔容孔径分布（为BJH法的补充，适合对片层状结构材料分析）；
 9、t-plot法（Boder）微孔分析；（V-t图，t法微孔孔径分布图）
 10、MP法（Brunauer） 微孔分析；（V-t图，微孔孔径分布图）（该方法考虑到不同材料吸附常数不同的因素，较t-plot法接近真实值）
 11、D-R法（Dubinin- Astakhov）微孔分析；
玻璃及玻璃刻字
　　[1]平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（玻璃罐、玻璃瓶、玻璃管等）、光学玻璃、玻璃纤维、玻璃仪器、导电玻璃、玻璃布及防射线特种玻璃等的主要原料。 　　特殊用途：玻璃刻字：先在玻璃瓶上涂一层石蜡,再用锐器刻上字,再用氢氟酸在刻字的蜡上涂抹一遍，.稍等片刻字迹即可显现出来。原理：氢氟酸腐蚀二氧化硅。
陶瓷及耐火材料
　　瓷器的胚料和釉料，窑炉用高硅砖、普通硅砖以及碳化硅等的原料。
冶金
　　硅金属、硅铁合金和硅铝合金等的原料或添加剂、熔剂。
建筑
　　混凝土、胶凝材料、筑路材料、人造大理石、水泥物理性能检验材料（即水泥标准砂）等。
化工
　　硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，无定形二氧化硅可作为吸附剂来使用。
机械
　　铸造型砂的主要原料，研磨材料（喷砂、硬研磨纸、砂纸、砂布等）。.
电子
　　高纯度金属硅、通讯用光纤等。 　　在微电子工艺中, SiO 2 薄膜因其优越的电绝缘性和工艺的可行性而被广泛采用。在半导体器件中, 利用SiO 2 禁带宽度可变的特性, 可作为非晶硅太阳电池的薄膜光吸收层, 以提高光吸收效率; 还可作为金属2氮化物2氧化物2半导体（MN SO ） 存储器件中的电荷存储层, 集成电路中CMOS 器件和SiGeMOS 器件以及薄膜晶体管（TFT ） 中的栅介质层等。此外, 随着大规模集成电路器件集成度的提高, 多层布线技术变得愈加重要, 如逻辑器件的中间介质层将增加到4～ 5 层, 这就要求减小介质层带来的寄生电容。鉴于此, 现在很多研究者都对低介电常数介质膜的种类、制备方法和性能进行了深入研究。对新型低介电常数介质材料的要求是: 在电性能方面具有低损耗和低耗电; 在机械性能方面具有高附着力和高硬度; 在化学性能方面要求耐腐蚀和低吸水性; 在热性能方面有高稳定性和低收缩性。目前普遍采用的制备介质层的SiO 2, 其介电常数约为4. 0, 并具有良好的机械性能。如用于硅大功率双极晶体管管芯平面和台面钝化, 提高或保持了管芯的击穿电压, 并提高了晶体管的稳定性。这种技术, 完全达到了保护钝化器件的目的, 使得器件的性能稳定、可靠, 减少了外界对芯片沾污、干扰, 提高了器件的可靠性能。 　　20 世纪80 年代末期, Si 基SiO2 光波导无源和有源器件的研究取得了长足的发展, 使这类器件不仅具有优良的传导特性, 还将具备光放大、发光和电光调制等基本功能, 在光学集成和光电集成器件方面很有应用前景, 可作为波导膜、减反膜和增透膜。随着光通信及集成光学研究的飞速发展, 玻璃薄膜光波导被广泛应用于光无源器件及集成光路中。制备性能良好的用作光波导的薄膜显得至关重要。集成光路中光波导的一般要求: 单模传输、低传输损耗、同光纤耦合效率高等。波导损耗来源主要分为材料吸收、基片损耗、散射损耗三部分。通过选用表面粗糙度高、平整的光学用玻璃片或预先溅射足够厚的SiO2 薄膜的普通玻璃基片, 使波导模瞬间场分布远离粗糙表面,以减少基底损耗。激光器用减反膜的研究也取得了很大的进展。中国工程物理研究院与化学所用溶胶凝胶法成功地研制出紫外激光SiO2 减反膜。结果表明, 浸入涂膜法制备的多孔SiO2 薄膜比早期的真空蒸发和旋转涂膜法制备的SiO2 薄膜有更好的减反射效果。在波长350nm 处的透过率达到98%以上, 紫外区的透过率达到99%以上。该SiO2 薄膜有望用于惯性约束聚变（ ICF） 和X 光激光研究的透光元件的减反射膜。目前在溶胶凝胶工艺制备保护膜、增透膜方面也取得了一些进展。此法制备的SiO2 光学薄膜在惯性约束聚变的激光装置中已成为一种重要的手段,广泛地应用于增透光学元件上, 如空间滤波器、窗口、靶室窗口或打靶透镜。在谐波转换元件KDP晶体上用溶胶工艺镀制保护、增透膜,能改善KDP 晶体的工作条件,提高谐波光束的质量与可聚焦功率。
橡胶、塑料
　　在橡胶中添加二氧化硅，可提高橡胶的耐磨度。 　　可降低轮胎滚动阻力的同时可改善轮胎的耐磨性和抗湿滑性。 　　使用二氧化硅的胶料拉伸强度、撕裂强度、耐磨性等均有提高。
涂料
　　填料（可提高涂料的耐候性）、可用来生产消光剂，亦可以作为涂料增稠剂。
食品、药品
　　在食品工业中主要用于防止粉状食品聚集结块，以保持自由流动的一类食品添加剂或用于吸附液态的香料、油脂、维生素等，使之成为粉末状，如粉末油脂、固体香料和固体酒之类制品。（例：奶粉） 　　在药品生产中可作为助流剂、催化剂载体等。
编辑本段危害
　　二氧化硅在日常生活、生产和科研等方面有着重要的用途，但有时也会对人体造成危害。  二氧化硅粉末
二氧化硅的粉尘极细，比表面积达到100㎡/g以上可以悬浮在空气中，如果人长期吸入含有二氧化硅的粉尘，就会患硅肺病（因硅旧称为矽，硅肺旧称为矽肺）。 　　硅肺是一种职业病，它的发生及严重程度，取决于空气中粉尘的含量和粉尘中二氧化硅的含量，以及与人的接触时间等。长期在二氧化硅粉尘含量较高的地方，如采矿、翻砂、喷砂、制陶瓷、制耐火材料等场所工作的人易患此病。 　　因此，在这些粉尘较多的工作场所，应采取严格的劳动保护措施，采用多种技术和设备控制工作场所的粉尘含量，以保证工作人员的身体健康。
编辑本段二氧化硅（SiO2）薄膜的制备
　　针对不同的用途和要求,很多SiO2薄膜的制备方法得到了发展与应用,主要有化学气相淀积（CVD），物理气相淀积，热氧化法，溶胶凝胶法和液相沉积法等。
等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）
　　这种技术利用辉光放电,在高频电场下使稀薄气体电离产生等离子体,这些离子在电场中被加速而获得能量,可在较低温度下实现SiO2薄膜的沉积。这种方法的特点是沉积温度可以降低,一般可从LPCVD中的700℃下降至200℃,且生长速率快,可准确控制沉积速率（约1nm/s）,生成的薄膜结构致密;缺点是真空度低,从而使薄膜中的杂质含量（Cl、O）较高,薄膜硬度低,沉积速率过快而导致薄膜内柱状晶严重,并存在空洞等。 　　目前已发展了双源等离子体CVD、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR2PECVD）、微波等离子体增强化学气相沉积（MPECVD）[10]等技术。采用开放式2.45GHzECR2PECVD装置,产生低能量、低气压、高密度的等离子体,并将一个可独立调节和控制的13.56MHz的射频偏压加在待沉积的单面抛光Si（100）基片上,用SiH4、O2和Ar气体作为反应气体来制备SiO2薄膜。结果表明,通过改变射频偏压来控制离子轰击能量,使ECR2PECVD成膜的内应力、溅射现象、微观结构和化学计量均受到很大程度的影响。
磁控溅射沉积
　　SiO2靶的射频溅射法是制备SiO2薄膜的主要方法。这种方法在低温下制备的SiO2薄膜,具有多孔结构,致密度低,因而抗侵蚀能力差;而在较高温度下制备的薄膜,具有较高的致密度和较好的性能。所以,在通常情况下,衬底温度选择为300～600℃。其缺点是导致器件易受到热伤害,使一些性能指标降低。随后发展起来的磁控射频溅射技术,能达到快速和低温的要求,不仅弥补了射频溅射的缺点,大大减小了电子对衬底表面直接轰击造成的损伤,且能在较低的功率和气压下工作。绝缘体和导体均可溅射,工艺简单,衬底温度低,薄膜厚度的可控性、重复性及均匀性与其他薄膜制备方法相比有明显的改善和提高,因而得到了广泛使用。许生等使用140mm×600mm的硅靶,频率为40kHz的中频电源,以Ar为溅射气体,O2为反应气体,成功地制备了SiO2薄膜,并对制备的SiO2薄膜的化学配比和元素化学态进行了扫描俄歇谱（SAM）和X射线光电子能谱（XPS）分析,测试了膜层对钠离子（Na+）的阻挡性能、光学折射率和可见光透过率。
热氧化法
　　热氧化工艺是在高温下（900～ 1 200 ℃） 使硅片表面氧化形成SiO2 膜的方法, 包括干氧氧化、湿氧氧化以及水汽氧化。采用干氧气氛下的高温氧化, 生长厚度为10 nm 左右的SiO 2 所需的氧化时间很短, 常规电阻丝加热氧化炉无法控制如此短的氧化时间。而采用高温下的低压氧化方法, 氧化时间将增加, 常规氧化炉可以控制较长的氧化时间, 但是较长时间的高温工艺过程会引起掺入杂质的再分布, 这是超大规模集成电路制作工艺中所不希望的。 　　为了解决以上问题, 出现了一种制备超薄SiO 2 薄膜的新方法——快速热工艺氧化法, 或称快速热氧化法 。这种方法采用快速热工艺系统, 精确地控制高温短时间的氧化过程, 获得了性能优良的超薄SiO2 薄膜。譬如硅烷低温氧化沉积SiO 2 薄膜, 温度在400 ℃左右, 在含氧的气氛中硅烷（SiH4） 在衬底表面上热分解, 并与氧气反应生成SiO 2, 其化学反应式为: SiH4+ 2O 2SiO 2↓+ 2H2O ↑（或H2↑）。为了防止硅烷自燃, 通常使用氮气或氩气稀释硅烷。在这些条件下生长的薄膜, 具有较高的绝缘强度和相当快的生长速度。这种方法的特点是设备简单, 温度低, 不生成气态有机原子团, 生长速率快, 膜厚容易控制; 缺点是大面积均匀性差, 结构较疏松, 腐蚀速度较快, 且气体管道中易出现硅烷氧化, 形成, 因而沉积SiO 2 粉尘的污染在所难免。
二氧化硅比表面测试仪控制系统：
1、强大而稳定的控制系统；仪器具有实时的数据与状态保存功能，即使发生通讯中断、意外断电等意外情况，仪器重启后任然能够恢复测试数据，进入测试流程继续测试；
2、具有智能而安全的液氮杯升降控制系统，该系统的关键点在于，当发生意外断电或设备重启时，可以避免重启设备后操作人员冒然下降液氮杯，温度升高后，样品管内吸附气体迅速溢出，使样品管爆裂的危险；
3、优化的真空泵启停管理系统，在测试过程中真空泵无需一直处于运行状态，减小噪音，延长真空泵寿命；
4、详尽的仪器运行日志记录功能；该仪器运行日志在仪器运行过程中自动记录仪器的每一条命令与执行结果，包括阀门的开关、泵的启停，原始采集数据等，时间精确到秒。该日志为仪器的可靠运行与售后提供保障；
二氧化硅比表面测试仪测试配件：
1、40升高纯氮，纯度≥99.999%，平均使用时间2-3年；
2、贝士德双级真空泵，永不返油，极限真空：4-6*10-2Pa；
3、其它配件见配置单；
二氧化硅比表面测试仪客户服务.
◆ 售前服务
 
    贝士德公司对客户提供样品免费试测，以方便客户采购前的调研比对，了解测试数据与国外仪器的差别；另外我们提供多次测试，以方便客户评价仪器测试的重复性及稳定性。如果欲采购客户需要了解仪器在使用单位的使用情况和效果，我公司可以提供使用厂家电话咨询了解。
◆ 售后服务
 
作为一个专业的二氧化硅比表面测试仪的生产厂家，贝士德公司在提供性能优良，质量可靠的仪器的同时，还将提供周到的售后服务，彻底解除用户的后顾之忧。
1.安装、调试、培训、运输：免费为用户安装、调试、培训、运输并送货上门。
2.保修期：在保修期内免费为用户提供维修等服务。
3.软件升级：为用户免费提供软件升级服务，此项服务不受保修期限制。
4.零配件供应：长期供应零配件、易损件。
5.服务方式与时效：
热线电话：全国统一咨询电话：400-6757-456，公司的技术人员、销售人员将随时为您提供咨询服务。
网站：公司网站提供公司介绍、产品介绍、软件下载、资料下载、技术交流、技术讲座、公司动态等内容。
上门服务：公司服务部的技术人员将根据用户的请求随时提供上门服务，从接到请求之时起一般不超过48小时到达，并实行定期或不定期回访用户制度。
电子邮件：公司有专门人员处理和发送电子邮件，将随时接受您发来的邮件，并为您发送如测试结果、仪器资料、软件等信息。
信件：备有详细公司及产品的介绍材料，我们将随时通过EMS、DHL等方式邮寄到您的手中。
◆ 经销商服务
我公司的系列产品销售以直销和经销商渠道销售相结合的方式，热烈欢迎有意向的经销商加盟合作，以实现经销商渠道和我公司的产品技术优势互补，实现合作共赢。我们将为经销商提供完善的支持服务和优秀的产品。
针对经销商的服务主要包括：
1.所有产品的详细介绍，精美宣传彩页。
2.全系列产品的售前与售后技术支持。
2.产品应用行业及领域的详细介绍与分析，产品及相关知识培训。
4.专业的售中支持，协助经销商投标过程中的标书制作，解答投标过程二氧化硅比表面测试仪的技术问题。
5.提供给经销商极具竞争力的产品价格，确保经销商及*终用户利益。
6.提供战略框架协议，实现优势互补
二氧化硅比表面测试仪产品相关关键词：
全自动智能比表面积仪及中孔微孔分布测试仪,BET法比表面仪,比表面积测试仪,氮吸附比表面积测定仪,比表面检测仪,比表面测量仪,比表面积检测仪,介孔微孔分布测定仪,比表面积测量仪,BET比表面积分析仪,比表面测定仪,比表面测试仪,BET比表面分析仪,孔容积测定仪,孔径分析仪,孔径检测仪,孔径测量仪,孔径分布测定仪,孔隙度分析仪,介孔微孔分布分析仪,孔容积分析仪,孔径分布检测仪,孔径分布测量仪,二氧化硅比表面测试仪,二氧化硅比表面测试仪,二氧化硅比表面测试仪,二氧化硅比表面测试仪,孔结构分析仪,孔径测定仪,孔隙度检测仪,孔隙度测量仪,平均孔径测试仪,介孔微孔分布测量仪,孔结构检测仪,孔结构测量仪,总孔体积分析仪,孔容积测试仪,孔体积分析仪,孔体积检测仪,孔体积测量仪,平均孔径测定仪,二氧化硅比表面测试仪,孔径测试仪,孔径分布测试仪,二氧化硅比表面测试仪,二氧化硅比表面测试仪,总孔体积测定仪,介孔微孔分布检测仪,孔体积测试仪,平均孔径分析仪,总孔体积检测仪,总孔体积测量仪,孔隙度测定仪,孔径分布分析仪,平均孔径检测仪,平均孔径测量仪,孔结构测定仪,总孔体积测试仪,二氧化硅比表面测试仪,孔结构测试仪,二氧化硅比表面测试仪,孔体积测定仪,孔隙度测试仪,二氧化硅比表面测试仪等是粉体和颗粒材料的比表面积及孔径（孔隙度）分布的检测分析仪器.
二氧化硅比表面测试仪应用领域：
适用于吸附剂（如活性碳,硅胶,活性氧化铝,分子筛,活性炭,硅酸钙,海泡石,沸石等）;
陶瓷原材料（如氧化铝,氧化锆,硅酸盐,氮化铝,二氧化硅,氧化钇,氮化硅,石英,碳化硅等）;
橡塑材料补强剂（如炭黑,白碳黑,纳米碳酸钙,碳黑,白炭黑等）;
电池材料（如钴酸锂,锰酸锂,石墨,镍钴酸锂,氧化钴,磷酸铁锂,钛酸锂,三元素,三元素材料,聚合物,聚合物材料,聚合物电池材料,碱锰材料,锂离子材料,锂锰材料,碱性材料,锌锰材料,石英粉,镁锰材料,碳性材料,锌空材料,锌汞材料,乙炔黑,镍氢材料,镍镉材料,隔膜,活性物资,添加剂,导电剂,缓蚀剂,锰粉,电解二氧化锰,石墨粉,氢氧化亚镍,泡沫镍,改性石墨材料,正极活性物质,负极活性物质,锌粉等）;金属氧化物（如氧化锌,氧化钙,氧化钠,氧化镁,氧化钡,氧化铁,氧化铜等）;
磁性粉末材料（如四氧化三铁,铁氧体,氧化亚铁等）;
纳米金属材料（如纳米银粉,铁粉,铜粉,钨粉,镍粉,铝粉,钴粉等）;
环保行业（如颜填料,柱填料,无机颜料,碳酸钙,氧化硅,矿物粉,沉积物,悬浮物等）;
无机粉体材料（如氧化钛,钛,二氧化钛等）;
纳米材料（如纳米粉体材料,纳米陶瓷材料等）;
稀土,煤炭（粉煤灰）,水泥（矿渣粉）,储能材料,催化剂（硅藻土）,净化剂,助滤剂,土壤,黏土,石油断裂剂,发光稀土粉末材料（荧光粉）,粉体材料,粉末材料,超细纤维,多孔织物,复合材料等粉体和颗粒材料的比表面积及孔径的检测分析,广泛适用于高校及科研院所材料研究和粉体材料生产企业产品质量监控.

原创作者：贝士德仪器科技（北京）有限公司