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适用于半导体基板的急速高温加热退火
本装置是试样放置在碳素susceptor Si导线上，红外线灯管对试样正反面进行加热。碳素susceptor内装有5对热电偶来调整加热区的功率平衡，让加热室得到温度分布的均一性。
●装置的构成
1 | 本体系统架台 | 1台 |
2 | 红外线加热炉 Pss98/98# | 1台 |
3 | 加热，冷却室 | 1台 |
4 | 程序温度控制器 | 1台 |
5 | 真空排气系统 | 1台 |
6 | 气体触摸屏/PLC回路 | 1台 |
7 | 压力控制系统 | 1台 |
8 | 本体架台/配电盘 | 1台 |
●技术指标
温度范围 | 50～700℃ Max 1000℃ |
试样尺寸 | 约50mm×50mm 硅片4张/连续处理 2行2列放置 |
气氛 | 流动氮气，不活性流动气体 |
