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金属，半导体阻抗测定装置
对于金属的相变，时效析出，再结晶反应
本装置是用直流四端子法，精密地测量金属合金，半导体的电阻。
●用途
对于金属相变，时效析出，再结晶的过程研究。
对于无形金属的再结晶的过程分析。
对于记忆形合金的研究。
测定各种半导体材料的温度VS电阻的关系。
●特长
可在定速升温，定温保持过程中测量材料电阻。
用直流四端子法进行高精度测量。
无热起电的影响。
●技术指标
测定温度范围 | ①-150～200℃ ②室温～1400℃ |
测定方式 | 自流四端子法 |
测定范围 | 100Ω～5×10-5 Ω |
试样台 | φ10mm×100mm |
测定气氛 | 不活性气体，大气，真空 |
