（一）多用途性（Versatility）

现代的测试设备所须的功能，必须能不被限制其电流及电压之供给。目前IGBT的产品其电流可通过1200A及阻断电压可高达3300V，但不久之后IGBT的产品即会有达到4500V及2000A的能力。且无人可预测未来其电压及电流可达到多少，再者，现今IGBT 的测试设备，也须能测试新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort） 或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。

因此，测试设备的评估上，须能适应及符合未来可能的发展，其不论是硬体，如电压电流产生器或软体上。

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（二）操作简单（Ease of Handling）

测试设备除了上述之特色外，应仍保持操作简单及效率佳的能力。达此目的*佳之方法即是使用者不须具备特殊训练即可操作此设备。如有使用晶体管特性图示仪的用户，操作起来会更加方便。此测试系统亦可经常地改变测试的半导体元件的型式（通常一天数次），对新的半导体元作的型式其可能会须要不同的制具（jig），或是更复杂的驱动闸控制，或是一缓冲器 （Sunbber） 的保护等。因此，使用模组化系 统即可达到上述之需求。在一个基本的测试系统上，加上一些可更换的测试单元，使其可执行不同范围产品的量测。
 

（三）安全性（Safety）

IGBT的测试系统因其可提供非常高的电压输出，对操作者来讲是有一 潜在的危险性，当在操作高电压及大电流时，操作员的安全性应予以考虑，即该设备须在不同国家的规范中皆可符合其安全标准。

在执行测试时，在危险的区域应使用滑动式门锁定而予以保护，所有参数皆应设置于安全的工作区域中，所有的保护措施的控制皆应由硬体部份来控制，而不是软体来控制。很显然的，在整条生产线上（研发测试时），时间是一个很重要的因素，因此，安全系统必须要很方便，而尽可能地对测试的速度影响愈小愈好。
 

静态测试（Static tests）

此测试之目的在提供元件（device）的详细特性，让设计者能精确地预测元件在稳态（Steady state）情况时之行为，此可协助使用者选择*佳的元件来用于他的应用中，更进一步地让其对与半导体元件相连接的设备如：电压钳式单元，闸极驱动，冷却系统等的设计更为妥切。

（一）集射极崩溃电压 （Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs

量测于特定的集极电流IC下闸极短路至射极时，跨于集、射极两端之电压为VcEs 如图1, IGBT 的集射极崩溃电压是会随着介面（Junction）温度增加而增加的（典型对600V之IGBT 会有0.7V/℃）

（二）集极至射极的泄漏电流IcEs ［或称为集极的截止（Cut-off ）电流］

在额定的集射极电压和闸射极短路下之集极电流为IcEs值（如图2）, IcEs的量测通常在25℃及的工作介面（Junction）温度，且集极泄漏电流 亦会随介面温度升高而增加。因此，在测试期间限制电流流过及避免 thermal升高是很重要的。

（三）集极至射极的饱和电压   （Collector to emitter saturation voltage） VcEsat
VcEsat（图3）是在特定的集极电流，闸射极电压及介面温度时之集射极导通电压VcEsat是相当重要的特性，因为其会决定导通之损失，在大的 极电流时，测试的脉冲必须非常短，如此不致有过多之损失。

（四）二极体顺向电压（Diode Forward Voltage） VF

VF（图4）是指IGBT模组中的飞轮二极体（Freewheeling Diode）在特定电流

及介面温度时之顺向导通电压值。
 

（五）闸极临界电压（Gate threshold Voltage） VGeth

VGeth（图5）是指在特定集极电流及闸极短路至集极时之射极的电压值。 当闸射极电压小于临界值时IGBT是OFF状态，因此闸极临界电压即是闸射极电压使IGBT导通并流过特定的集极电流。VGEth是随着介面温度遽增而递减的（-11mV/℃）。

（六 ）跨导（Transconductance） gfs

跨导（gfs）（图6）是于特定集极电流时，集极电流和闸射极电压之商数 。 跨导是用来表示IGBT增益的方式。由于跨导的量测是在清楚严格的特定条件下所做的两个量测之值，因此，测试设备的精准性对测试结果有很大的影向力。

第二种方法是调整闸射极电压至特定的集射极电压（VP）并思考下列式子：

△ VGE = △Vp

IGBT的顺向跨导是会随着介面温度升高而增加的，其原因在于定闸极电压时，增加集极电流时，因电流Thermal run-away而会使晶片温度升高，因此IGBT 并不被建议来当做一个线性放大器使用。

 

（七）闸极至射极之泄漏电流IGEs

IGEs（图8）是指在特定的闸射极电压及集极短路至射极时闸极之泄漏电流 。此测试可能可以知道正或负的闸射极电压。所量测的电流是相当小的，因此，脉冲至少须维持一个电源周期的积分时间，避免因闸极电容吸收的电流所产生之误差。此量测必须在闸极电压稳定后才可进行。