Normal07.8 磅02falsefalsefalseEN-USZH-CNX-NONE

产品介绍：多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统、

IL-50多舱体式PEVCD/ETCH系统

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统具有沉积薄膜在光电池上的能力，提供精密的镀膜性能。在不破坏真空的情况下，可以沉积四种薄膜。

•   装载互锁式（Load Lock）多腔体等离子系统
•  晶圆料盒至晶圆料盒式（Cassette-Cassette processing）等离子处理
•  破坏真空的情况下*多可沉积四种薄膜
•   基片尺寸：125 x 125mm,156 x 156mm 及200mm直径基片（可采用装载器处理小尺寸基片）.
•   常规薄膜：SiOx & SiNx - a- Si
•  研发、试制生产及生产制造
•  反应离子刻蚀（RIE）真空处理舱可供选配
•   全电脑控制系统
•  真空处理舱采用模块化设计，并与200mm空隙阀连接。

多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统描述

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统包括一个中央控制模块，内置机器人真空舱室。多腔体模块包括中央真空舱、晶圆片处理机器人、工艺处理舱四个结构，每个接口配备闸阀。中央真空舱室配置一个真空接口及真空计。

中央控制模块内*多可安装4套等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）或反应离子刻蚀（RIE）工艺处理真空舱。这些真空处理舱体通过宽角阀隔离。等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）或反应离子刻蚀（RIE）工艺处理真空舱针对具体应用而设计制造，并且每个舱体配备独立的真空泵浦系统、工艺气体控制、加热/冷却系统、压力 、工艺气体喷头及其它特定工艺需要的系统配置。

晶圆料盒至晶圆料盒式模块用于晶圆片的装载导入及卸载导出。模块在真空环境下工作，通过闸阀与系统控制模块隔离。单个系统中*多可集成两套晶圆料盒至晶圆料盒式模块。

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统应用

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统用于在太阳能电池晶圆片上沉积镀膜或是蚀刻。单层或多层可以处理。预蚀刻功能也可提供。

*多十二块晶圆片可以装载导入传送晶圆片料盒，并且置于晶圆片料盒传送模块中。晶圆片通过机器手移至处理模块中以便特定工艺处理，薄膜沉积或是蚀刻。薄膜沉积或蚀刻工艺完毕以后，晶圆片移至另外一个舱内进行进一步的处理或是导入晶圆片料盒装载/卸载模块。

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统技术规格

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统包括*多四个处理舱室，一个晶圆片传送舱及一个装载/卸载平台

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统 晶圆片传送舱

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统的晶圆片传送舱由优质铝材建造，配备四个处理舱及晶圆片料盒装载/卸载平台的200mm接口。  铰接连杆式机器人用于晶圆片从料盒导入晶圆片处理系统，然后进入处理舱，*后返回。

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统晶圆片料盒传送平台

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统配备一套晶圆片料盒传送平台。该平台采用铝合金建造。金属材质的晶圆片料盒载入平台，然后导入晶圆片传送舱。

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统的处理舱室

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统的处理舱采用模块化设计，并且通过一个200mm闸阀连接至晶圆片传送模块。该处理舱采用铝合金制造，包括加热/冷却台，通过特殊处理套件经行温度控制。独立式真空计、每个舱室配备气体控制系统。处理舱采用平板式电极设计。上部电极配备工艺气体喷头，用于均匀的工艺气体介入。

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统的等离子电源

每套独立的处理舱室配备独立的1200W@13.56MHz射频电源。每套处理舱室配备强耦合射频匹配网络系统。

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统的工艺处理真空泵浦系统

根据不同工艺处理需要，不同真空泵浦系统可以按需提供，真空泵浦包括机械式真空泵、干式真空泵、涡轮增压真空泵及鼓风机套件。每个处理舱室具备独立式真空泵浦设置，而晶圆片传送舱室采用另外一个独立的真空泵浦系统。

IL-50多舱体式等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）/蚀刻（ETCH）系统的整套电脑控制系统

 控制系统采用的控制系统，使用下拉格式的专用程序菜单。这些程序菜单提供多步骤设置，通过整体工艺序列进行控制。工艺步骤也可存储以便日后使用。操作系统提供整体式工艺控制。

如果您对GIK多舱体式PEVCD/ETCH系统感兴趣，请联系我们索取更详尽资料！
极科有限公司
（材料科学部）