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产品展示

ATI-1000S型 半导体体积电阻率测试仪

点击次数:75发布时间:2022/2/7 15:04:18

ATI-1000S型  半导体体积电阻率测试仪

更新日期:2022/2/7 15:04:18

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产品型号:ATI-1000S型

简单介绍:ATI-1000S型高温半导体体积电阻率测试仪主要用于半导体材料导电性能的评估和测试,该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发,可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率,可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。半导体体积电阻率测试仪目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试,可以广泛用于半导体材料硅(si)、锗(ge),化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb),三元化合物半导体GaAsAl、GaAsP,固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP等的块体材料的电阻率测量等材料的电阻率测量。

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详细内容

ATI-1000S型高温半导体体积电阻率测试仪主要用于半导体材料导电性能的评估和测试,该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发,可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率,可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。半导体体积电阻率测试仪目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试,可以广泛用于半导体材料硅(si)、锗(ge),化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb),三元化合物半导体GaAsAl、GaAsP,固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP等的块体材料的电阻率测量等材料的电阻率测量。

技术参数:

温度范围:RT-1000℃

升温斜率:0-10℃/min (典型值:3℃/min)

控温精度:±0.5℃

电阻测量范围:0.1mΩ~1MΩ

电阻率测量范围:100nΩ..cm~100KΩ .cm

测量环境:惰性气氛、还原气氛、真空气氛

测量方法:四线电阻法

测试通道:单通道

样品尺寸:10mmx10mmX20mm或φ<20mm ,d<5mm

电极材料:上电极半圆型铂金电极,下电极平板型铂金电极

绝缘材料:99氧化铝陶瓷

数据存储格式:TXT文本格式

数据传输:USB

符合标准:ASTM

供电:220V±10%,50Hz

工作温度:5℃ 至 + 40 ℃;

存储温度:–40 ℃ 至 +65 ℃

工作湿度:+40 ℃ 时,相对湿度高达 95%(无冷凝)

设备尺寸:400x450x580mm

重量:38kg

产品特点:

■ 高温炉膛、测量夹具、测量软件等集成于一体,让操作变得更加简单,测量精度则会更高;

■ 触摸屏控制和显示,同时支持外接键盘和鼠标操作,满足多样化需求;

■ ATI电阻率测量软件兼容世界主流仪表Keithley 2400,扩展应用更加方便;

■ 可以实现常温、高温、真空、气氛条件下测量半导体材料的电学性能;

■ 专业的测量软件,可以测量半导体材料的方块电阻和电阻率;

■ 进口纤维一体开模铸造的高温炉膛,高耐温1100℃;

■ 内胆采用进口金属材料,耐高温、抗氧化,可实现常温、高温、真空、流动气氛等多种试验环境下的电学测量;

■ 为了减小高温下导线受电炉丝的交流信号干扰而建立了金属屏蔽罩,减小外部信号的干扰和增加测试频率带宽;

■ 采用九点控温法,以传感器为中心点,其半径20mm的圆环上均匀铺设八个温度采集点,九个温度点范围内采集到的温度大温差为1℃,此范围为样品测试的佳温区;

■ 弹簧夹具设计,弹簧的可压缩性既不损伤样品又能实现样品的良好接触;

■ 上电极半球状+下电极平板状结构设计,可以定位测量被测样品某一点;

■ 控温和测温采用同一个传感器,样品每次采集的温度都是样品实际温度;

■ 采用九点控温法,九个温度点范围内采集到的温度大温差为1℃,此范围为样品测试的佳温区;

■ 电极支撑和屏蔽采用进口合金材质,利用叶片设计可以很好解决因平台带来的热弛豫影响;

■ 可以测量半导体材料的方块电阻、电阻率,实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能;

■ 操作简单,功能强大的测量软件,可以通过输入样品的面积和厚度,软件自动计算样品的电阻率ρv;

■ 智能化控制,可自动调节施加在样品的测试电压,以防样品击穿;

■ 采用新的RAM嵌入式开发平台,可以进行在线升级、远程协助及故障诊断;

■ 测量软件*设计;

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联系人:刘伟

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企业档案

  • 会员类型:免费会员
  • 工商认证: 【未认证】
  • 最后认证时间:
  • 法人:
  • 注册号:
  • 企业类型:生产商
  • 注册资金:人民币万

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