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FEMTO光接收器HBPR-500M-10K-SI对称（平衡）光接收器/光电探测器
点击次数：82发布时间：2022/11/21 14:09:34
更新日期：2024/7/31 15:37:41
所 在 地：中国大陆
产品型号：
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联系：祝小姐 137-1416-6576
型号：HBPR-450M-10K-IN-FS，HBPR-500M-10K-IN-FC，HBPR-500M-10K-SI-FST，HBPR-500M-10K-SI-FS，HBPR-500M-10K-SI-FC，
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HBPR-100M-60K-IN-FST，HBPR-100M-60K-IN-FS，HBPR-100M-60K-IN-FC，HBPR-100M-60K-SI-FST，HBPR-100M-60K-SI-FS，HBPR-100M-60K-SI-FC
特征
- 带宽高达 500MHz
- 噪声抑制（CMRR 共模噪声）高达 55 dB
- 噪声低，NEP 高达 3.7 pW/√Hz
- Si 和 InGaAs 型号，光谱范围为 320 至 1700 nm
- 可切换的 20MHz 低通滤波器可大限度地减少宽带噪声
- 高达 60,000 V/A 的高增益，可分两切换
- 输出信号的可切换耦合（AC/DC）
- 具有 10 MHz 带宽的快速直流耦合监视器输出
- 输入自由光束或光纤耦合
- 1.035"-40自由射流输入螺纹，兼容多种标准光学系统
采集从 DC 到 500 MHZ 的小光差分信号
通过精确形成两个输入信号之间的差异，可以抑制共模噪声，例如所用激光源的强度噪声。以这种方式，可以从信号测量路径中提取否则会在噪声水平中丢失的小光信号。
HBPR 系列的光接收器/光电探测器由两个反并联连接的光电二管和一个后续的低噪声跨阻放大器组合而成。光电二管经过仔细选择并成对匹配，以实现尽可能高的共模噪声抑制 (CMRR)。低输入噪声 (NEP) 和高的共模抑制为
MHz 范围内的对称（平衡）光接收器设定了标准，并实现了高灵敏度信号采集。高带宽允许精确检测激光脉冲，即使具有高重复率和快速变化的信号形式，例如在量子态层析成像中。
由于可切换的带宽限制（低通滤波器）、独立的快速监控输出、可调偏置和可切换的 AC/DC 耦合等附加功能，
HBPR 系列的光接收器是通用的对称光接收器。
兼容光学平台（自由光束）和光纤
自由射流输入设计为带螺纹耦合环的 1.035"-40 螺纹法兰 (FST) 或无螺纹的 25 mm 圆形法兰 (FS)。这两种类型都与来自不同制造商的光学配件广泛兼容，例如例如透镜、管、笼式系统、光学适配器等
。相对大面积的检测器有助于自由光束应用中的光学聚焦，并在使用可选的光纤适配器时确保高度稳定的耦合。
带有 Ø 0.8 mm 光电探测器的 FST 自由辐射 SI 型号可以很容易地转换为光纤连接（FC、FSMA），由于探测器面积大，只需拧上 PRA 系列可选的光纤适配器即可，没有任何明显的耦合损耗. 仅有条件地建议将光纤适配器用于具有较小检测器表面的模型，例如
Ø 0.4 / 0.3 mm，因为可能会发生耦合损耗和不稳定性。当重点放在高精度光纤测量上时，使用具有固定光纤 FC 光纤输入的 FC 模型通常会提供佳结果。
所有 HBPR 光电接收器均配备 UNC 8-32 和 M4 螺纹孔，因此可以轻松稳定地集成到标准杆架上的光学系统中。
应用程序（不包括杆座）
- 光谱学
- 相干外差检测
- 光量子态的零差检测
- 光学相干断层扫描 (OCT)
- 干涉测量
- 光学延迟测量
- 用于示波器、频谱分析仪、A/D 转换器和锁定放大器的差分光学端
光谱范围为 320 至 1000 nm 的型号：
| 模型 | HBPR-100M-60K-SI-FST HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-100M-60K-SI-FC | HBPR-200M-30K-SI-FST | HBPR-500M-10K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FC |
| 硅PIN光电二管 | 0.8mm直径 | 0.8mm直径 | 0.4 mm Ø， |
| 光谱范围 | 320 - 1000纳米 | 320 - 1000纳米 | 320 - 1000纳米 |
| 带宽 (−3dB) | 直流 - 100MHz | 直流 - 200MHz | 直流 - 500MHz |
| 跨阻增益（可切换） | 2.0x10 4V / A | 1.0x10 4V / A | 5.0x10 3V / A 10.0x10 |
| 转换增益 | 10.8 x 10 3 V/W 典型值。 32.4 x 10 3 V/W 典型值。 （@ 850 纳米） | 5.4 x 10 3 V/W 典型值。 16.2 x 10 3 V/W 典型值。 （@ 850 纳米） | 2.55 x 10 3 V/W 典型值。 5.1 x 10 3 V/W 典型值。 （@ 760 纳米） |
| 低NEP | ≤ 6.5 pW/√Hz（@850 纳米） | ≤ 7.8 pW/√Hz（@850 纳米） | ≤ 12 pW/√Hz（@760 纳米） |
| 新经济政策 (@ 20MHz) | ≤ 7.4 pW/√Hz（@850 纳米） | ≤ 8.8 pW/√Hz（@850 纳米） | ≤ 13 pW/√Hz（@760 纳米） |
| 共模抑制（典型值） | 50分贝 | 45分贝 | 40分贝 |
| 数据表 FS/FST 版本 | 280KB | 280KB | 280KB |
| 数据表 FC 版本 | 219KB | 219KB | 219KB |
光谱范围为 800 至 1700 nm 的型号：
| 模型 | HBPR-100M-60K-IN-FST HBPR-100M-60K-IN-FS HBPR-100M-60K-IN-FC | HBPR-200M-30K-IN-FST HBPR-200M-30K-IN-FS HBPR-200M-30K-IN-FC | HBPR-450M-10K-IN-FST HBPR-450M-10K-IN-FS |
| InGaAs PIN光电二管 | 0.3 mm Ø（FS/FST 型号），80 µm Ø 球透镜（FC 型号） | ||
| 光谱范围 | 800 - 1700 nm（FS/FST 型号），900 - 1700 nm（FC 型号） | ||
| 带宽 (−3dB) | 直流 - 100MHz | 直流 - 200MHz | 直流 - 450MHz (FS/FST) |
| 跨阻增益（可切换） | 2.0x10 4V / A | 1.0x10 4V / A | 5.0x10 3V / A |
| 1550 nm 处的转换增益（可切换） | 19 x 10 3 V/W 典型值。 57 x 10 3 V/W 典型值。 | 9.5 x 10 3 V/W 典型值。 28.5 x 10 3 V/W 典型值。 | 4.75 x 10 3 V/W 典型值 |
| 小 NEP (@ 1550 nm) | ≤ 3.7pW/√Hz | ≤ 4.4 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.1 pW/√Hz (FC) | ≤ 6.5 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 6.7 pW/√Hz (FC) |
| NEP（@ 20MHz，1550nm） | ≤ 4.3 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.0 pW/√Hz (FC) | ≤ 4.9 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.4 pW/√Hz (FC) | ≤ 6.9pW/√Hz |
| 共模抑制（典型值） | 50dB (FS/FST) 55分贝（FC） | 45dB (FS/FST) 50分贝（FC） | 35 分贝 (FS/FST) 45分贝（FC） |
| 数据表 FS/FST 版本 | 272KB | 272KB | 272KB |
| 数据表 FC 版本 | 219KB | 219KB | |
以下规格适用于所有 HBPR 型号：
| 大 CW 共模功率 | 每个光电二管 10 mW |
| 低通滤波器 | 全带宽可切换至 20 MHz（上限频率） |
| 高通滤波器（交流耦合） | 直流耦合可切换为交流（10 Hz 下限频率） |
| 信号输出电压 | ±1.0V 到 50Ω 负载（用于线性增益和低谐波失真）， 大 ±2.0 V 至 50 Ω 负载 |
| 监控输出 | 跨阻（增益）1000 V/A，带宽 DC - 10 MHz， 输出电压 0 ... +10 V（@ ≥100 kΩ 负载） |
| 电源电压/ | ±15V (±14.5V … ±16.5V) –90 / +120mA 典型值。 |
| 尺寸 | 80 x 80 x 30.5 毫米（长 x 宽 x 高） 重量 FC 型号 350 克（0.77 磅），重量 FS/FST 型号 410 克（0.9 磅） |
偏移量可通过电位器调节。输出短路保护。电源电压 ±15 V，通过 3 针 Lemo® 插座。包括一个匹配的连接器。可选配PS-15系列电源。有关更多详细信息，请参见数据表。
