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　　其原理为：给栅极突然加一个VG正脉冲，在光电开关的金属电极板上就会充上一些正电荷，电场将P-SI中SIO2界面附近的空穴排斥走，在少数电子还未移动到此区时，在SIO2附近出现耗尽层，耗尽区中的电离物质为负离子，此时半导体表面处于非平衡状态，表面区有表面电动势，若衬底电位为0，则表面处电子的静电位能为-qs。

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