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外延晶片在线光折射检测仪
特 点 : 对 2”-200 mm 的晶片可以进行在线的光折射扫描,也可升级至 300mm 检测直径; 扫描范围从 0.75 eV 到 2.2 eV, 3.6 eV 可选; 在室温,禁带宽度和偏移 (Band gap/band offset) 测量可精确到 2 meV ; 可进行表面 / 界面电场测量; 入射角可从 15° 到 75°, 特别适合于 VCSEL/RCLED 晶片; 先进的模型软件: TDFF, FDFF, FKO 拟合;
外延晶片在线光折射检测仪
优 点 : 快速非接触式外延晶片表征; 直接测量晶片的带宽,偏移和表面 / 界面电场; 应用于统计的过程控制,提高加工稳定性; 大幅节省由于晶片破坏性实验和设备制造的费用; 提高晶片生产率;较少的校正可以提高利润; 控制晶片的质量,以避免进入下一步工序造成的损失; VCSEL 和 RCLED 晶片上的非破坏性实验; 应 用 : 室温下高精度禁带宽度测量; 外延晶片材料中关键部位的电场测量; 为 HBT 晶片质量和静态过程控制提供技术; 无损检测 VCSEL 和 RCLE 晶片产品质量; 可以适用多种晶片生产设备 (GaAs, InP, SiGe; GaN 可选 ) 适用于 HBT, pHEMT, LED, QWIP, 边发射激光器材料;
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