键合铜丝 18μm；22μm；25μm；28μm；32μm；35μm；38μm；42μm

键合铜丝 18μm；22μm；25μm；28μm；32μm；35μm；38μm；42μm

优克公司联合相关大专院校自主研发成功键合铜丝，打破国外对该项技术的封锁与垄断，可广泛应用于集成电路、器件半导体高新技术行业；LED与半导体生产企业降低成本，提高竞争力必选

产品名称：键合铜丝 ；铜键合丝；单晶铜丝；键合丝
直径规格：18μm；22μm；25μm；28μm；32μm；35μm；38μm；42μm；45μm；50μm
长度规格：100m；200m;500m;1000m

键合铜丝是一种具备优异电气、导热、机械性能以及化学稳定性极好的内引线材料，主要作为
半导体关键的封装材料（键合铜丝、框架、塑封料、焊锡球、高密度封装基板、导电胶等）。

单晶铜是一种全新技术生产的新材料，它主要的特点为：
　　1 单晶粒：相对目前的铜材（多晶粒），它只要1-3晶粒，内部无晶界，决定其传输性能非常好
　　2 高纯度：目前，我们的单晶铜可以做到99.999％（5N）或99.9999％（6N）的纯度
　　3 低电阻：与目前其他铜材比，电阻低10％以上
　　4 高延伸：良好的延展性，可以压箔和拉丝，可拉成相当长度的0.1-0.018的不等的细丝和微细丝

单晶铜丝替代键合金丝的原因：
1、可节约键合成本,键合材料成本节约90%以上
2、可以在氮气气氛下封装,生产更安全
3、可以减缓脆性金属化合物的形成，提高键合强度
4、单晶铜丝在导电和信号导通效果方面比金丝更好
5、导电率、导热率提高20%，因此在直径相同的条件下铜丝可以承载更大电流
6、铜引线相对金引线的高刚度使得其更适合细小引线键合；
7、键合的机械强度可提高20%~30%
8、克服了金丝键合硬度高、易氧化、键合力大等缺点
9、互连强度比金丝还要好
10、单晶铜丝替代键合金丝无需更换生产设备

铜线与金线相比的优点

1. 材料成本低，降低单位封装成本，提高竞争优势
2. 导电性好
金焊线4.55 10 E7/ Ohm
铜焊线5.88 10 E7 / Ohm
在微间距封装中可以采用更细的焊线 ，微间距应用性能优异（焊垫尺寸较小）
提高功率调节器件（TO220、TO92、DPAK等等）的电流容量和性能
3. 导热性好，传热效率更高
金31.1 kW/m2 K 铜39.5kW/m2 K
4. 机械性质高，抗拉强度更大、延伸特性更好 ，模压中具有优异的球颈强度和较高的弧线稳定性
5. 金属间（IMC）生长速度慢，提高机械稳定性、降低电阻增加量 ；IMC生长较为温和，从而提高了键合强度
6. 与金线焊点相比，铜线焊点中的金属间生长速度显著减小。这就降低了电阻、减小了产热，并最终提高了焊接可靠性和器件性能。由于铜线中的金属间生长速度、电阻和产热均低于金线，故而电阻随时间的增加量和老化速度同时得到减小。

单晶铜抗拉强度(MPa) 128.31
单晶铜屈服强度(MPa) 83.23
单晶铜伸长率% 48.32
单晶铜维氏硬度(HV) 65
单晶铜断面收缩率% 55.56
单晶铜电阻率（X10-8 Ω.m) 1.717
单晶铜导电率（IACS%) 100.4

多晶铜抗拉强度(MPa) 151.89
多晶铜屈服强度(MPa) 121.37
多晶铜伸长率% 26
多晶铜维氏硬度(HV) 79
多晶铜断面收缩率% 41.22
多晶铜电阻率（X10-8 Ω.m) 1.767
多晶铜导电率（IACS%) 97.56