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主要测试项目:
1. 晶体的串联谐振频率FS。
2. 晶体的负载谐振频率FL。
3. 晶体的串联谐振电阻RR。
4. 晶体的负载谐振电阻RL。
5. 晶体的静电容C0。
6. 晶体的负载电容CL。
7. 晶体的频差ppm或KHz。
技术指标:
1. 晶体频率测量范围:3―――60MHz。
2. 等效电阻测量范围:0―――200Ω。
3. 静电容测量范围: 0―――20PF。
4. 负载电容的调整范围:10―――40PF。
5. 激励电平的调整范围:10―――500uW。
6. 晶体等效电阻的测量误差:≤5%。
7. 激励电平误差: ≤50%。
8. 工作温度范围: +15―――+35℃。
9. 时基稳定度(10MHz): 5×10-7
10. 电源电压: 220Vac +/-10%。
11. 功耗: ≤15W。
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