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PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点;
1200℃高真空PECVD系统通过滑动炉体来实现快速的升降温,配置不同的真空系统来达到理想的真空度;同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。 主要应用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备,生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
二、主要技术参数:
炉体结构 | 整机采用SUS304不锈钢材质,流线型外观,断热式结构; 日本技术真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛,保温性能好 炉子底部装有一对滑轨,移动平稳 炉子可以手动从一端滑向另一端,实现快速的加热和冷却 炉盖可开启,可以实时观察加热的物料 |
电源 | 电压:AC220V 50/60Hz;功率:4KW |
炉管 | 高纯石英管,高温下化学稳定性强,耐腐蚀,热膨胀系数极小 尺寸:Φ60*1200mm |
法兰及支撑 | SUS304不锈钢快速法兰,通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空 一个卡箍就能完成法兰的连接,放、取物料方便快捷 可调节的法兰支撑,平衡炉管的受力支撑 包含进气、出气、真空抽口针阀,KF密封圈及卡箍组合 |
加热系统 | 加热元件采用优质合金丝0Cr27Al7Mo2,表面负荷高、经久耐用 加热区长度:300mm 恒温区长度:150mm 工作温度:≤1150℃ 最高温度:1200℃ 升温速率:10℃/min |
温控系统 | 日本富士温控仪表,64段控温程序,可分步、分段
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混气系统 | 三路质量流量计:数字显示、气体流量自动控制 内置不锈钢混气箱,每路气体管路均配有逆止阀 管路采用不锈钢管,接口为Φ6卡套 每路气体进气管路配有不锈钢针阀 通过控制面板上的旋钮来调节气体流量 流量规格:0~200sccm 流量精度:±1.5% |
高真空真空系统 | 采用双级旋片真空泵+分子泵,极限真空可达4.0*10^-4Pa 复合真空计,配置电阻规+电离规 抽速:110L/S 冷却:风冷 电源:AC220V 50/60Hz |
射频电源系统 | 输出功率:0-300W 功率稳定度:±0.1% 射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005% 最大反向功率:120W 射频电源电子输出端口:UHF 冷却:风冷 电源:AC187-253V 50/60Hz |
可选配件 | 混气系统,中、高真空系统,各种刚玉、石英坩埚,石英管,计算机控制软件,无纸记录仪,氧含量分析仪。 |
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