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项目 | 值 | 单位 | |
最小值 | 最大值 | ||
VDD直流供电电压 | 30 | V | |
VDD齐纳嵌位电压 | 10 | V | |
VDD直流嵌位电流 | VDD_clamp+0.1 | mA | |
COMP输入电压 | -0.3 | 7 | V |
CS输入电压 | -0.3 | 7 | V |
OTP输入电压 | -0.3 | 7 | V |
工作结温 | -20 | 150 | ℃ |
贮存温度 | -55 | 165 | ℃ |
温度(焊接,10秒) | 260 | ℃ | |
内置MOS管耐压值 | 900 | V | |
RDS-ON功率MOSFET导通电阻 | 5.5 | Ω |
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