IC工作寿命实验(OLT)

工作寿命实验(OLT)

IC工作寿命试验(Operating Life Test)为利用温度及电压加速的方法，藉由短时间的试验来评估IC的在长时间可工作下之寿命，典型的浴缸曲线(Bathtub Curve)分成早夭期(Infant Mortality)及可使用期(Useful Life)和老化期(Wear out)，对于不同区段的故障率评估皆有其相对应的试验手法。常见的工作寿命试验方法有：

• BI(Burn-in) / ELFR(Early Life Failure Rate)

• 评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率，一般用DPPM(Defect Parts Per-Million)表示。

• HTOL(High Temperature Operating Life)  

• 评估可使用期的寿命时间，一般用FIT或MTTF表示。

• TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)/HCI(Hot Carrier Injection)/EM(Electromigration)等试验评估各种材料在老化期的寿命表现。

对于不同的产品属性也有相对应的测试方法及条件，如HTGB(High Temperature Gate Bias) / HTRG(High Temperature Reverse Bias) / BLT(Bias Life Test) / IOL(Intermittent Operation Life)等试验手法。

上述各项实验条件均需要施加电源或信号源使得组件进入工作状态或稳态，经由电压/温度及时间的加速因子(Acceleration Factor)交互作用下达到材料老化的效果，并藉由试验结果计算出预估产品的故障率及FIT(Failure In Time)和MTTF(Mean Time To Failure)。

近年来较热门的议题为IC工作寿命的故障涵盖率，利用具备深向内存的预烧系统来执行IC的工作寿命实验，使其在固定的试验时间内的提高IC内逻辑闸的Toggle Rate，IC的寿命试验的Fault Coverage提升后可靠度自然也相对提升。

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关于宜特：

iST始创于1994年的台湾，主要以提供集成电路行业可靠性验证、材料分析、失效分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室12个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。