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六级恒流副边PWM电源控制芯片M6362AM6362A

六级恒流副边PWM电源控制芯片M6362A

  • 价 格： 电议
  • 型号：M6362A
  • 生 产 地：中国大陆
  • 访问：34次
  • 发布日期：2017/11/29(更新日期：2019/6/27)

深圳市茂捷半导体有限公司

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产品展示

M6362A是一款高度集成的电流模式PWM控制芯片，主要用于高性能、低待机功耗和低成本的
离线反激式电源适配器中。
在满载时，IC在固定频率(65KHz)模式下运行。当负载降低时，工作在谷底导通的绿色工作
模式，实现高功率下的高转换效率。当负载很小的时候，芯片以“扩展的突发模式”运
行，以减少待机功耗。因此，在整个负载范围内可以实现高转换效率。
  • 详细内容
  • 公司简介
  概述
M6362A是一款高度集成的电流模式PWM控制芯片，主要用于高性能、低待机功耗和低成本的离线反激式电源适配器中。在满载时，IC在固定频率(65KHz)模式下运行。当负载降低时，工作在谷底导通的绿色工作模式，实现高功率下的高转换效率。当负载很小的时候，芯片以“扩展的突发模式”运行，以减少待机功耗。因此，在整个负载范围内可以实现高转换效率。
M6362A的VCC极低的启动电流和低运行电流为启动和工作低功耗要求的设计中提供了可靠的应用保证。
M6362A提供了包括循环电流限制(OCP)、过载保护(OLP)、电压锁定(UVLO)保护、超温保护(OTP)和过电压保护(OVP)等自动恢复的全面保护覆盖。以及优异的抗EMI电磁干扰性能。
芯片系统设计中竭力避免低于23KHz的音频工作频率范围，并在操作过程中消除音频噪声。M6362A提供SOT23-6封装。
特性
开机软启动减少MOSFET Vds的压力应力
多段复合的工作模式：65KHz固定频率模式@满载
谷底导通工作模式@中低负载
扩展的突发工作模式@轻负荷&空载
优化EMI性能的抖频技术
扩展的突发工作模式提高转换效率和极低的待机功耗
音频噪声处理功能
全面的保护功能：VCC锁定与迟滞(UVLO)
VCC过电压保护(VCC OVP)
在通用输入电压范围内固定输出功率限制的电流阈值设置
过载保护(OLP)及自动恢复功能
外部(如果NTC电阻连接在PRT pin)或内部温度保护(OTP)与自动恢复功能
输出电压保护(输出OVP)与自动恢复，
OVP触发电压可由辅助绕组与PRT销连接的电阻调节

典型应用电路
 


引脚描述：
 
位号
 名称
 功能
1
 GND
 地
2
 FB
反馈信号输入，芯片的PWM占空比变化由该引脚的电压电平信号和SEN引脚的电流信号决定
3
 PRT
复合功能引脚，将NTC电阻与地面连接起来进行OTP检测。从辅助绕组连接电阻可以调节OVP触发电压，检测变压器磁芯去
磁状况
4
 SEN
 电流信号检测端
5
 VDD
 芯片供电
6
 GATE
 功率MOSFET驱动输出
额定参数
参数
 数值
VCC直流电源电压
 VOVP-1V
FB输入电压
 -0.3to7V
SEN 输入电压
 -0.3to7V
PRT 输入电压
 -0.3to7V
操作结温
 -40to150 ℃
操作环境温度ta
  -40to85 ℃
储存温度
 -55to150 ℃
焊锡温度(焊接、10 秒)
  260 ℃
备注：应力大于那些列在“绝对额定值”可能会造成永久性损坏。长时间工作于“绝对最大额定参数”可能影响设备的可靠性。
工作概述
M6362A是一款高度集成的电流模式PWM控制IC，主要用于高性能、低待机功耗和低成本的离
线反激式电源适配器。
启动电流和启动控制
M6362A的启动电流设计得非常低，VCC可以在UVLO阈值水平上充电，设备快速启动。因此，
可以用一个大的值启动电阻器来最大限度地减少功耗，并能在应用中实现可靠的启动。
工作电流
M6362A的工作电流为2.5 ma(典型)。利用M6362A低运行电流和“扩展突发模式”控制功能
实现了良好的效率。
软启动
M6362A内部具有2ms(典型)软启动，以减弱启动时电源供应的电压应力。它在开机时被激
活。当VCC到达UVLO(OFF)时，CS峰值电压从0.05V逐渐增加到最大水平。每一次重启之后都
会有一个软启动。
频率调整及EMI
M6362A中具有频率变换(开关频率调制)功能。系统振荡频率被严格调制，避免进入音频范
围。频率的扩展调制将电磁干扰减小到最小，从而降低了应用系统的设计难度。
高效率的复合工作模式
M6362A是一种多模式的控制器。芯片根据FB引脚电压改变来改变工作模式。在正常操作条
件,芯片在传统固定频率(65 khz)PWM模式。当输出负载电流降低时，芯片从PWM模式顺利进
入绿色模式。在这种模式下，开关频率将从65KHz线性下降到23KHz，同时通过PRT脚监测辅
助绕组上的电压状况可以实现谷底导通模式工作，从而开关损耗最小化，实现了高转换效
率。
在轻负荷或无载工况下，开关式电源的大部分功率耗散是由MOSFET的开关损耗以及变压器
的磁芯和控制电路的线路损耗。功率损耗的大小与开关频率成正比。降低开关频率从而减
小功率损耗，进而节省能量，达到整体能耗降低的目的。
开关频率在空载或轻负荷情况下内部自动进行检测调整。开关频率在轻载/空载条件下降低
，以提高转换效率。在轻负荷或无负载情况下，FB电压降低到Vref_burst_L(进入突发模式
阈值电压)以下，系统进入突发模式工作。当FB电压返回到Vref_burst_H(退出突发模式阈
值电压)以上时，Gate驱动输出开关。否则，门驱动器仍处于关闭状态，以尽量减少开关损
耗，并将运行功耗降低到最大限度。
退磁检测
通过PRT脚对辅助绕组的电压情况进行监测，检测变压器磁芯消磁情况。这种电压具有回返
极性。在导通时间(由CS电压和FB电压决定)之后，开关就关闭了，反激退磁过程开始。反
激退磁过程之后，辅助绕组残余电压近似表现为跟随频率的振荡形式1/2πLpCd 。Lp是变
压器初级绕组的自身电感，Cd是开关结点折合电容。
典型的检测方式是检测 PRT脚-50mv的电平。当PRT的电压低于-50mv时，可以通过检测识别
判定为消磁过程中一个可能的“谷”。

茂捷半导体是一家专业从事纯模拟电路和数模混合集成电路设计的IC设计公司。公司资深研发团队将业界先进的设计技术与亚太地区的本土优势产业链相结合，服务全球市场，为客户提供高效率、低功耗、低风险、低成本、绿色化的产品方案和服务。助力于充电器、适配器、照明、锂电充电等产业的发展。茂捷让您有机会为绿色地球做贡献！
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