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■ 电感电流临界连续模式
■ 高性能的线电压调整率和负载调整率
■ ±3%输出电流精度
■ 内置500V功率MOSFET
■ 启动电流
■ 高达95%的系统效率
■ LED开路/短路保护
■ 电流采样电阻开路保护
■ 逐周期原边电流限流
■ 芯片供电过压/欠压保护
■ 自动重启功能
■ 过热调节功能
■ 采用SOP-8封装
典型应用
极限参数
符号 | 名称 | 参数范围 | 单位 |
VDS | 内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压 | -0.3~500 | V |
IDD_MAX | VDD引脚最大钳位电流 | 10 | mA |
COMP | 环路补偿点 | -0.3~6 | V |
INV | 辅助绕组的反馈端 | -0.3~6 | V |
SEN | 电流采样端 | -0.3~6 | V |
PDMAX | 功耗(注2) | 0.45 | W |
θJA | PN结到环境的热阻 | 145 | ℃/W |
TJ | 工作结温范围 | -40 to 150 | ℃ |
TSTG | 储存温度范围 | -55 to 150 | ℃ |
ESD (注3) | 2 | KV |
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