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茂捷非隔离有源LED驱动芯片M8915可替代BP2325M8915

茂捷非隔离有源LED驱动芯片M8915可替代BP2325

  • 价 格: 电议
  • 型号:M8915
  • 生 产 地:中国大陆
  • 访问:38次
  • 发布日期:2018/1/17(更新日期:2019/6/27)

深圳市茂捷半导体有限公司

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产品展示

M8915内部集成500V功率MOSFET,只需要很少的外围器件,即可实现优异的恒流特性。M8915采用专利的浮地构架,对电感电流进行全周期采样,可实现高精度输出恒流控制,并达到优异的线电压调整率和负载调整率。另外,M8915具有过热调节功能,在驱动电源过热时减小输出电流,以提高系统的可靠性。
  • 详细内容
  • 公司简介
M8915是一款带有源功率因数校正的高精度非隔离降压型LED恒流控制芯片, M8915集成有源功率因数校正电路,可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式,功率MOS管处于零电流开通状态,开关损耗得以减小,同时电感的利用率也较高。M8915内部集成500V功率MOSFET,只需要很少的外围器件,即可实现优异的恒流特性。M8915采用专利的浮地构架,对电感电流进行全周期采样,可实现高精度输出恒流控制,并达到优异的线电压调整率和负载调整率。另外,M8915具有过热调节功能,在驱动电源过热时减小输出电流,以提高系统的可靠性。

特点:
■  内置有源功率因数校正

■  电感电流临界连续模式

■  高性能的线电压调整率和负载调整率

■  ±3%输出电流精度

■  内置500V功率MOSFET

■  启动电流

■  高达95%的系统效率

■  LED开路/短路保护

■  电流采样电阻开路保护

■  逐周期原边电流限流

■  芯片供电过压/欠压保护

■  自动重启功能

■  过热调节功能

■  采用SOP-8封装
典型应用

极限参数

符号

名称

参数范围

单位

VDS

内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压

-0.3~500

V

IDD_MAX

VDD引脚最大钳位电流

10

mA

COMP

环路补偿点

-0.3~6

V

INV

辅助绕组的反馈端

-0.3~6

V

SEN

电流采样端

-0.3~6

V

PDMAX

功耗(注2)

0.45

W

θJA

PN结到环境的热阻

145

℃/W

TJ

工作结温范围

-40 to 150

TSTG

储存温度范围

-55 to 150

 

ESD (注3)

2

KV

















应用信息
启动
系统上电后,经过整流后的电压通过启动电阻给 VDD 引脚的电容充电,当 VDD 电压上升到启动阈值电压
后,芯片内部控制电路开始工作,COMP电压被上拉到1.7V,M8915开始输出脉冲信号,COMP电压从1.7V开始逐渐上升,原边峰值电流随之上升,从而实现输出 LED 电流的软启动,有效防止输出电流过冲。当输出电压建立之后,VDD通过二极管供电,从而降低系统功耗。
反馈网络
M8915通过INV来检测输出电流过零的状态。INV引脚也可以用来探测输出过压保护(OVP),阈值为1.6V。INV的上下分压电阻比例可以设置为:
其中,RINVL:反馈网络的下分压电阻
RINVH:反馈网络的上分压电阻
VOVP_INV:输出电压过压保护设定点
推荐INV下分压电阻可以设置在5KΩ--10 KΩ左右
保护功能
M8915内置多重保护功能,保障了系统可靠性。 LED开路时,输出电压逐渐上升,INV引脚在功率管关断时检测到输出电压,当INV电压升高到OVP阈值时,触发保护逻辑并停止开关工作。
当LED短路时,系统工作在10kHz低频。由于输出电压很低,无法通过二极管给VDD供电,所以VDD电压逐渐下降直到欠压保护阈值。系统进入保护状态后,VDD电压开始下降,当VDD到达欠压保护阈值时,系统将重启。同时系统不断的检测系统状态,当故障解除,系统会重新开始工作。
当输出短路或者电感饱和时,SEN峰值电压将会比较高。当SEN电压上升到内部限制值(1V)时,该开关周期马上停止。此逐周期限流功能可以保护功率MOS管、功率电感器和输出续流二极管。
过温调节功能
M8915具有过热调节功能,在驱动电源过热时逐渐减小输出电流,从而控制输出功率和温升,使电源温度保持在设定值,以提高系统的可靠性。芯片内部设定过热调节温度点为150℃。
PCB设计注意事项
旁路电容VDD的旁路电容需要紧靠芯片VDD和GND引脚。地线电流采样电阻的功率地线尽可能粗,且要离芯片的地(Pin2)尽量近,以保证电流采样的准确性,否则可能会影响输出电流的调整率。
另外,信号地需要单独连接到芯片的地引脚。功率环路的面积减小大电流环路的面积,如功率电感、功率管及输入电容的环路面积,以及功率电感、续流二极管、输出电容的环路面积,以减小EMI 辐射。
INV引脚接到INV的分压电阻必须靠近INV引脚,且节点要远离功率电感的动点(DRAIN 引脚走线),否则系统噪声容易误触发INV OVP保护功能。
DRAIN引脚 适当增加DRAIN引脚的铺铜面积以提高芯片散热。


深圳市茂捷半导体有限公司
网站:http://www.mojay.com.cn
咨询电话:  
QQ:752074165

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