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技术参数:
二次电子图象分辨率:
1.0nm(15KV.WD=4.0mm)
1.6nm(1KV.WD=1.5mm,减速模式)
2.5nm(1KV.WD=1.5mm)
放大倍数:
低放大倍数模式 20-2,000x
高放大倍数模式 100-800,000x
电子光学:
电子枪 ZrO/W 肖特基电子枪
电流 1pA-100nA
加速电压 0.5-30KV(标准模式)
着陆电压 0.1-2.0KV(减速模式)
透镜系统 3级电磁线圈系统
物镜光阑 4孔光阑,真空外选择和细调
样品台:
样品台控制 5轴马达控制
移动范围
X 0-110mm
Y 0-110mm
z 1.5-40mm
T -0.5O-+700
R 360O
样品尺寸 直径150mm(标准)
(最大) 直径200mm(可选)
探测器:
二次电子探测器
背散射电子探测器(可选)
STEM探测器(可选)
法拉第杯(可选)
X射线能谱仪(可选)
X射线波谱仪(可选)
EBSP探测器(可选)
阴极荧光探测器(可选)
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