开关电源适配器芯片12V1ADK112电路图参考设计高功率

价格： 65元
型号：DK112
生产地：中国大陆
访问：9次
发布日期：2018/8/2(更新日期：2018/8/2)

深圳市钲铭科电子有限公司

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开关电源控制芯片DK112 是次级反馈，反激式 AC-DC 离线式开关电源控制芯片。芯片采

用高集成度的 CMOS 电路设计，具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。芯片

内置高压功率管和自供电线路，具有外围元件极少，变压器设计简单（隔离输出电路的变

压器只需要两个绕组）等特点。

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公司简介

开关电源适配器芯片12V1ADK112电路图参考设计高功率

开关电源控制芯片DK112 是次级反馈，反激式 AC-DC 离线式开关电源控制芯片。芯片采

用高集成度的 CMOS 电路设计，具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。芯片

内置高压功率管和自供电线路，具有外围元件极少，变压器设计简单（隔离输出电路的变压器只需要两个绕组）等特点。

开关电源控制芯片DK112产品特点

l全电压输入 85V—265V。

l内置 700V 功率管。

l芯片内集成了高压恒流启动电路，无需外部启动电阻。

l专利的自供电技术，无需外部绕组供电。

l待机功耗小于 0.3W。

l65KHz PWM 开关频率。

l内置变频功能，待机时自动降低工作频率，在满足欧洲绿色能源标准（ < 0.3W同时，降

低了输出电压的纹波。

内置斜坡补偿电路，保证在低电压及大功率输出时的电路稳定。

频率抖动降低 EMI 滤波成本。

过温、过流、过压以及输出短路，次级开路保护。

4KV 防静电 ESD 测试。

工作原理

开关电源DK112上电启动：

芯片内置高压启动电流源；上电启动时当 VDD 电压小于启动电压时，打开三极管对外部的

VDD 储能电容充电。当 VDD 电压达到 4.9V 启动电压的时候，关闭启动电流源,启动过程

结束，控制逻辑开始输出 PWM 脉冲。

开关电源DK112软启动：

上电启动结束后，为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和，功率管和次级整

流管应力过大，芯片内置 4ms 软启动电路，在前 4ms 内，最大初级峰值电流为330mA，

时钟频率为 65K。启动结束后，最大初级峰值电流为 660mA，时钟频率为 65K。
DK112 PWM 输出：
一个 PWM 周期由 3 部分组成：1 是电感充电（开关管开通）阶段

开关电源控制芯片DK112应用领域:
12W 以下 AC-DC 应用包括：电源适配器、充电器、LED 电源、电磁炉、空调、DVD、机顶

盒等家电产品。

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或者联系13802567304林先生

钲铭科电子：www.linkage.cn

供电电压 VDD ………………………………………… -0.3V－－8V
供电电流 VDD ………………………………………… 100mA
引脚电压 …………………………………………… -0.3V－－VDD+0.3V
功率管耐压 ………………………………………… -0.3V－－730V
峰值电流
……………………………………………………………… 800mA
总耗散功率
……………………………………………………………
1000mW
工作温度 …………………………………………
-25°C－－+125°C
-55°C－－+150°C
+280°C/5S
储存温度 …………………………………………………
焊接温度
…………………………………………………………………
上电启动：
芯片内置高压启动电流源；上电启动时当VDD电压小于启动电压时，打开三极管对
外部的VDD储能电容充电。当VDD电压达到4.9V启动电压的时候，关闭启动电流源,启
动过程结束，控制逻辑开始输出PWM脉冲。

软启动：
上电启动结束后，为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和，功率管和
次级整流管应力过大，芯片内置4ms软启动电路，在前4ms内，最大初级峰值电流为
330mA，时钟频率为65K。启动结束后，最大初级峰值电流为660mA，时钟频率为65K。

B检测和反馈控制：
Fb引脚外部连接一只电容，以平滑Fb电压，外接电容会影响到电路的反馈瞬态特
性及电路的稳定工作，典型应用可在1nF～10nF之间选择；
当Fb电压低于1.6V,最大Ip电流为660mA；
当Fb电压从1.6V逐渐上升到2.8V时，Ip电流从最大电流660mA逐渐减小到

当Fb电压高于1.6V到2.8V,工作频率固定为65kHz。
当Fb电压从2.8V到3.6V时，随FB电压升高工作频率逐渐降低。
当Fb电压大于3.6V时，电路将停止PWM输出。

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