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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C技术参数:
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| 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
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| 样品台 | 样品台可选直接冷却 / 间接冷却0-90度旋转 | ||
| 离子源 | 20cm 考夫曼离子源 | ||
| 均匀性 | ±5% for 8”Ф | ||
| 硅片刻蚀率 | 20 nm/min | ||
| 温度 | <100 |
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Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 具有良好的均匀性和高蚀刻率, 均匀度 10 nm/min, 具有高冷却效果.
所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳
上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 无污染, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余
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