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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:
| 基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr | |
| 样品台 | 直接冷却（水冷）0-90 度旋转 | |
| 离子源 | 4 cm,8cm,10cm,16cm | |
| 均匀性 | ±5% for 4”Ф | |
| 硅片刻蚀率 | 20 nm/min | |
| 温度 | <100 |
Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 具有良好的均匀性和高蚀刻率, 均匀度 10 nm/min, 具有高冷却效果.
所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳
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