高压低功耗同步升压芯片HB6803

功能特性简述

l 高效率>90%

l 同步N型MOSFET整流

l VCC宽输入范围：2.5V至24V

l 1.5%的输出电压精度

l 高位电流采样

l 空载时低静态电流：60uA

l 内置软启动

l 开关频率600/900KHz

l 关断电流<8uA

l PWM峰值电流模控制

l 轻载自动切换Burst模式

l 逻辑控制使能端

l Cycle-By-Cycle峰值电流限制

l 工作环境温度范围：-40℃～125℃

l DFN12L\TSSOP14L封装

应用

l 移动电话

l 工业供电

l 通讯硬件

概述

HB6803是一款恒定频率PWM电流模控制，驱动N型功率管的高效同步升压芯片。同步整流提高效率，减小功耗，并且减轻散热要求，所以HB6803可以应用在大功率环境。

2.5V到24V的输入电压支持供电系统和电池的较宽范围应用。根据负载情况的变化自动切换工作模式，在轻载Burst模式下静态电流低至60uA。

HB6803内置峰值电流限制和输出过压保护。在ENB逻辑控制为高时，芯片电流降至8uA以下。

 功能描述

主控制回路

HB6803采用恒定频率，电流模升压控制结构。在正常模式，底部主功率MOSFET在时钟置位时打开，在ICMP峰值电流控制比较器复位时关断。峰值电流比较器的由电感电流和误差放大器EA的输出触发和产生复位信号。误差放大器比较输出的反馈电压FB和内部的1.2V基准。

在底部主功率MOSFET关断时，顶部整流MOSFET开启；在电感电流临界，即将开始反向时，顶部整流MOSFET断开。

LDO输出

    对顶部和底部MOSFET驱动和大部分内部电路供电。最大电流限制在50mA。

关闭和启动

HB6803在ENB为高时关闭。此时芯片的功耗降到8uA以下。ENB为逻辑低电平时，芯片启动。

最大峰值电流限制

HB6803在正常模式工作时，外部检测电阻上的压降超过120mV时，PWM控制器立即关断以防止电感电流过高。

轻载Burst模式

HB6803能在轻载时自动切换到Burst模式，提高工作效率。

当电感的平均电流高于负载所需时，误差放大器EA的输出会随之降低，当EA的输出低到阈值时，进入Burst的休眠模式，外部主MOSFET和整流MOSFET均关断。此时，HB6803内部大部分电路也关断，总电流减小到60uA。当输出反馈电压FB降低，误差放大器的输出开始升高，Burst的休眠模式终止，环路继续正常工作。

输出过电压保护

HB6803内置过电压保护功能。当输出电压过高时，比如说负载突然移除时产生的过电压，该功能可以保护芯片本身和其他元器件。当FB大于1.1V时，该功能立即关闭PWM控制器，底部和整流MOSFET的驱动。

 功能描述

主控制回路

HB6803采用恒定频率，电流模升压控制结构。在正常模式，底部主功率MOSFET在时钟置位时打开，在ICMP峰值电流控制比较器复位时关断。峰值电流比较器的由电感电流和误差放大器EA的输出触发和产生复位信号。误差放大器比较输出的反馈电压FB和内部的1.2V基准。

在底部主功率MOSFET关断时，顶部整流MOSFET开启；在电感电流临界，即将开始反向时，顶部整流MOSFET断开。

LDO输出

    对顶部和底部MOSFET驱动和大部分内部电路供电。最大电流限制在50mA。

关闭和启动

HB6803在ENB为高时关闭。此时芯片的功耗降到8uA以下。ENB为逻辑低电平时，芯片启动。

最大峰值电流限制

HB6803在正常模式工作时，外部检测电阻上的压降超过120mV时，PWM控制器立即关断以防止电感电流过高。

轻载Burst模式

HB6803能在轻载时自动切换到Burst模式，提高工作效率。

当电感的平均电流高于负载所需时，误差放大器EA的输出会随之降低，当EA的输出低到阈值时，进入Burst的休眠模式，外部主MOSFET和整流MOSFET均关断。此时，HB6803内部大部分电路也关断，总电流减小到60uA。当输出反馈电压FB降低，误差放大器的输出开始升高，Burst的休眠模式终止，环路继续正常工作。

输出过电压保护

HB6803内置过电压保护功能。当输出电压过高时，比如说负载突然移除时产生的过电压，该功能可以保护芯片本身和其他元器件。当FB大于1.1V时，该功能立即关闭PWM控制器，底部和整流MOSFET的驱动。