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标题简述切割、研磨、抛光几个容易忽视的操作环节

   

提供者:沈阳科晶设备制造有限公司    发布时间:2008/10/10   阅读次数:617次 >>进入该公司展台

文章来自:http://www.sykejing.com/news/news_detail.asp?id=41

撰稿人:张风芹
  就晶体而言,切割前应对其定向,确定切割面,切割时首先将锯片固定好,被切晶体材料固定好,切割速度选择好,切割时不能不用切割液,它不仅能冲洗锯片,而且还能减少由于切割发热对晶体表面产生的损害,切割液还能冲刷切割区的晶体碎渣。
  切割下来的晶片,要进入下一道工序研磨。首先要用测厚仪分类测量晶片的厚度进行分组,将厚度相近的晶片对称粘在载料块上。粘接前,要对晶片的周边进行倒角处理。粘片时载料块温度不易太高,只要固定腊溶化即可,晶片最好摆放在载料块的最外圈,粘片要对称,而且要把晶片下面的空气排净(用铁块压实)。防止产生载料块不转和气泡引发的碎片的现象。然后再用测厚仪测量粘在载料块上的晶片厚度,并作好初始记录。在研磨过程中适时测量减薄的厚度,直到工艺要求的公差尺寸为止。
  使用研抛机前要将设备清洗干净,同时为保证磨盘的平整度,每次使用前都要进行研盘,研盘时将修整环和磨盘自磨,选用研磨液要与研磨晶片的研磨液相同的磨料进行,每次修盘时间10分钟左右即可。只有这样才能保证在研磨时晶片表面不受损伤,达到理想的研磨效果。
  抛光前要检查抛光布是否干净,抛光布是否粘的平整,一定要干净平整。进行抛光时,抛光液的流量不能小,要使抛光液在抛光布上充分饱和,一般抛光时间在一小时以上,期间最好不停机,因为停机,化学反应仍在进行,而机械摩擦停止,造成腐蚀速率大于机械摩擦速率,而使晶片表面出现小坑点。推荐您使用本公司生产的循环搅拌泵及浓缩抛光液。
   设备的清洗非常重要,清洗是否干净将直接影响磨、抛晶片的质量。每次研磨或抛光后,都要认真将设备里外清洗干净。载料块支架上的支撑轮在转动时,磨料容易进入轮 内,所以每次使用之前,一定要用毛刷将支撑轮缝隙残留磨料刷干净,使支撑轮转动自如。保证磨、抛晶片的平整度.
冲洗设备时水流不易太大,以免水进入机壳内部引起电线短路。
如果您的设备长期不使用时,要将设备清洗干净并擦干水迹,在铸铁盘上涂满机油,以免生锈。

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