D(第5页)_深圳市蓝星宇电子科技有限公司

208HR美国TED 高分辨离子溅射仪

208HR高分辨离子溅射仪-适用于场发射扫描电镜，可选择多种镀膜材料，精确的膜厚控制，样品台控制灵活，多个样品座，样品室几何可变，宽范围的操作压力，紧凑、现代的桌上型设计，操作容易。

价格：￥电议型号：208HR产地：美洲
RTMALD实时监测仪

$r$nSENTECH ALD实时监测仪是一种新型的光学诊断工具，是心灵超高分辨率的单一ALD循环。在不破坏真空的条件下分析薄膜特性(生长速率，厚度，折射率)，在短时间内开发新工艺、实时研究ALD循环中的反应机理是SENTECH ALD实时监测仪的主要应用。$r$n $r$n

价格：￥电议型号：RTM产地：欧洲
SE 400adv PV激光椭偏仪

$r$n激光椭偏仪SE 400adv PV$r$n $r$nSE 400adv PV是全球化使用的标准仪器，用于测量PV单层防反射涂层的厚度和折射率指数。特别用于表征单晶和多晶硅太阳能电池上的SiNx 防反射单层膜的性能。该仪器用于SiNx涂层和薄钝化层SiO2和Al2O3的质量控制。$r$n

价格：￥电议型号：SE 400adv PV产地：欧洲
MDPspot德国Sentech光伏测量仪器

$r$n德国Sentech光伏测量仪器MDPspot，具有成本效益的台式少子寿命测试仪MDPspot可用于表征晶片或面。它为少子寿命测量提供了一个测量点。$r$n $r$n低成本桌面式寿命测量系统，用于手动操作表征不同制备阶段的各种不同硅样品。可选的手动操作Z轴用于厚度多达156毫米的样品。标准软件可输出可视化的测量结果。$r$n $r$n

价格：￥电议型号：MDPspot产地：欧洲
MDPpro德国Sentech激动扫描系统

$r$n德国Sentech激动扫描系统MDPpro,少子寿命测量仪器的特征在于以1mm分辨率对500mm的一个面在不到4分钟内完成扫描。电阻率和少子寿命的测量完全无触摸。利用微波检测光电导率(MDP)同时测量少子寿命、光电导率、电阻率和p/n导电类型的变化。$r$n

价格：￥电议型号：MDPpro产地：欧洲
MDPinlinescan在线寿命和电阻率逐行扫描仪

$r$nMDPinline ingot 光伏测量仪器，多晶形貌少子寿命测量系统是为高产量生产用户而设计的。对于一个面，以1毫米的分辨率，无接触、无破坏地测量电阻率和少子寿命花费不到一分钟。电阻率和导电类型变化的自动扫描可用于质量控制和监测炉子性能。面可以自动转动，以便测量所有的四个侧面。

价格：￥电议型号：MDPinlinescan产地：欧洲
MDPinline ingot光伏测量仪器

$r$nMDPinline ingot 光伏测量仪器，多晶形貌少子寿命测量系统是为高产量生产用户而设计的。对于一个面，以1毫米的分辨率，无接触、无破坏地测量电阻率和少子寿命花费不到一分钟。电阻率和导电类型变化的自动扫描可用于质量控制和监测炉子性能。面可以自动转动，以便测量所有的四个侧面。

价格：￥电议型号：MDPinline ingot产地：欧洲
MDPinline光伏测量仪器

MDPinline 光伏测量仪器，一秒内完成正片晶片扫描。MDPinline是为高速自动扫描硅晶片而设计的，它以每片不到一秒的时间记录少子寿命的全部形貌。利用微波检测光电导率定量测量少子寿命。凭借其紧凑的设计，MDPinline可以灵活地集成在传送带上或晶片分选系统中。

价格：￥电议型号：MDPinline产地：欧洲
FTPadv Expert综合薄膜测量软件

FTPadv Expert 综合薄膜测量软件，光谱反射测量软件FTPadv Expert是专门为测量和分析R(λ)和T(λ)而设计的。用于确定各种材料的薄膜厚度、消光系数或折射率的光谱数据分析，这些参数都被加载到SENTECH光谱反射测量软件中，使得能够根据Cauchy色散、Drude振荡给出的参数描述和拟合材料。

价格：￥电议型号：FTPadv Expert产地：欧洲
FTPadv台式薄膜探针反射仪

FTPadv 台式薄膜探针反射仪$r$n台式薄膜探针反射仪FTPadv，FTPadv是一种具有成本效益的台式反射膜厚仪解决方案，它具有非常快速的厚度测量。在100毫秒以内进行测量，其精度低于0.3nm，膜厚范围在50 nm -25 μm。为了便于分光反射测量操作，该仪器包括了范围广泛的预定配方。

价格：￥电议型号：FTPadv产地：欧洲
SE 500adv激光椭偏仪

$r$nSE 500adv 激光椭偏仪$r$n激光椭偏仪SE 500adv，椭偏仪SE 500adv将激光椭偏仪和反射仪结合在一个系统中。这种组合允许零度反射法用于快速薄膜分析，并且允许透明膜以激光椭偏仪的亚埃精度将可测量的厚度范围扩展到25埃米，从而明确地确定厚度。

价格：￥电议型号：SE 500adv产地：欧洲
SE 400adv激光椭偏仪

$r$n激光椭偏仪 SE 400adv，激光椭偏仪SE 400adv测量透明薄膜的厚度和折射率指数，具有测量速度、亚埃级别的厚度精度和折射率测定的精度。多角度测量允许使用激光椭偏仪SE 400adv表征吸收膜特征。

价格：￥电议型号：SE 400adv产地：欧洲
SENDURO全自动光谱椭偏仪

SENDURO 全自动光谱椭偏仪,包括基于测量处方的仅在几秒钟内即可完成的快速数据分析。椭圆仪的设计是为了便于操作：放置样品，自动样品对准，自动测量和分析结果。在全自动模式下使用光谱椭偏仪非常适合于质量控制和研发中的常规应用。

价格：￥电议型号：SENDURO产地：欧洲
SENDIRA红外光谱椭偏仪

SENDIRA红外光谱椭偏仪,振动光谱的特点是傅立叶红外光谱仪FTIR。测量红外分子振动模的吸收谱带，分析长分子链的走向和薄膜的组成。红外光谱椭偏仪适用于测量导电膜的电荷载流子浓度。

价格：￥电议型号：SENDIRA产地：欧洲
PlasmaPro 100 ALE牛津原子层刻蚀机

PlasmaPro 100 ALE 牛津原子层刻蚀机，市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。

价格：￥ 7型号：PlasmaPro 100 ALE产地：欧洲
PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蚀系统

PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蚀系统，旨在提供深硅蚀刻（DSiE）域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。

价格：￥ 7型号：PlasmaPro 100 Estrelas产地：欧洲
Ionfab 300 IBE牛津离子束刻蚀机

已获得利的高速衬底架（高达1000RPM）设计，并配备了白光光学监视器（WLOM）——更为准确的实时光学薄膜控制$r$n

价格：￥ 7型号：Ionfab 300 IBE产地：欧洲
OpAL牛津开放式样品载入ALD设备

牛津OpAL开放式样品载入ALD设备，紧凑型开放式样品载入原子层沉积（ALD）系统，OpAL提供了业的热ALD设备，可以简单明了的升使用等离子体，使得在同一紧凑设备中集成了等离子体和热ALD。

价格：￥ 4型号：OpAL产地：欧洲
PlasmaPro 80 ICP英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机

PlasmaPro 80 ICP 英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机,是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。该设备通过优化了的电冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。

价格：￥ 4型号：PlasmaPro 80 ICP产地：欧洲
System 100牛津Oxford等离子刻蚀与沉积设备

牛津OXFORD System 100 等离子刻蚀与沉积设备,该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备,具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术.

价格：￥ 4型号：System 100产地：欧洲

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