实验背景

置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，称为霍尔效应。  实验背景及实验目的​

如，随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法。霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 您也可以在淘宝网页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！

实验目的

1． 通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构；

2． 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术；

3． 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。

4． 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。

实验背景及实验目的​

实验仪器

霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。

锦正茂科技研发的霍尔效应测试系统，类型分为电磁铁型、高磁场型、高低温磁场型、低温型和高阻型，用于量测电子材料的重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或固体材料均可。该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知*度。

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