霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。

该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知*度。仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或固体材料均可。

可测试材料: 

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料，低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料，高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等

样品测试：

设置控制电流、磁场和霍尔片厚度，点击“开始测试”按钮，软件将完成一键测试过程，直至计算出所有霍尔参数。每次测试完后，可选择保存该计算结果值，然后点击“清除显示”按钮，以进入下一次测试。

若保持磁场大小不变，改变控制电流的大小，可通过画图操作观察Is 与 VH的关系；若保持控制电流大小不变，改变磁场的大小，可通过画图观察 B 与 VH 的关系。

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