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LaNiO3-薄膜纯氩气氛中溅射制备
点击次数：69 发布时间：2022/3/4 16:22:39
LaNiO3薄膜
采用射频磁控溅射制备工具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构的LaNiO3-x薄膜，并对薄膜在265℃的衬底温度下进行了原位热处理。测试结果表明薄膜具有金属导电性，薄膜中晶粒大小约为10nm，并且热处理对薄膜的结构没有影响。同时，随着热处理时间延长，薄膜品格的含氧量、电导率、光学折射率以及消光系数都将逐步降低。采用经典电磁理论，通过计算机模拟成功解释了这些实验结果和证明了以给出的理论解释。此外，数值模拟和实验结果同时表明在纯氩气氛中溅射制备的LaNiO3薄膜晶格中存在氧空位，为了提高电导率，溅射时的氧气比例应超过20％。
该羟基金属离子通过羟基聚合并与 甲基纤维素(MCL)形成线状结构LNO溶胶,易于成膜.LNO薄膜经过550-850℃/60min退火形成多晶膺立方钙钛矿结构,其晶格参数 a=3.84(A).四引线法测定厚度0.6μmLNO薄膜电阻率与温度的变化在-163-150℃之间能符合ρ=ρ0+AT2关系式.
在1KHz测试频 率下,测得Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)(52/48)薄膜剩余化强度Pr在LNO/Pt/Ti/SiO2/Si衬底和Pt/Ti /SiO2/Si衬底上分别为19.6和23.5μC·cm-2,矫顽场分别为76.1和85.1 kV·cm-1.
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