产品展示(第1页)_深圳市蓝星宇电子科技有限公司

OCTOPLUS 1000 多波束电子束

德国 Eberl 的多波束电子束OCTOPLUS 1000系统，专为最大12英寸SiGe外延生长设计，适用于MBE（分子束外延）工艺。该系统提供高效、高精度的沉积技术，确保高质量薄膜的生长，广泛应用于半导体制造领域。

价格：￥电议型号：产地：欧洲
德国Eberl 多波束电子束 OCTOPLUS 1000

德国Eberl 多波束电子束 OCTOPLUS 1000, 用于大 12 英寸基底 SiGe 外延生长的 MBE 系统

价格：￥电议型号：产地：欧洲
自动进样稀释模块ASDM

自动进样稀释模块ASDM专为ICP自动进样器设计，支持2至1000倍的样品溶液稀释，配备两种型号以适应不同溶液类型。该模块可自动添加标准溶液，并能同时清洗稀释探头及准备下一个稀释样品。ASDM提供10ml注射器进行2-20倍稀释，或两支注射器进行50-1000倍稀释。

价格：￥电议型号：产地：日本
自动化标准添加系统 ASAS II

ASAS II自动化标准添加系统通过自动制备校准标准溶液，提升了电感耦合等离子体（ICP）分析的效率与精度。该系统采用非接触式光流传感器和高精度注射泵，实现微量标准溶液的精准添加。其无阀门设计及全氟聚合物材质确保了系统的高效与耐用性。

价格：￥电议型号：产地：日本
气体电离探测器GED

气体电离探测器（GED）是一种用于测量气体中金属颗粒浓度的技术，尤其适用于半导体行业中特殊气体的分析。该系统通过一个高效的膜来交换气体，使得样品气体中的金属颗粒能在无需预处理的情况下直接引入到电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）中进行高灵敏度分析。

价格：￥电议型号：产地：日本
连续化学采样检测系统CSI

化学分析实验室采用连续化学采样检测系统（CSI）监测半导体工艺中的化学品，以检测微量金属杂质。该系统使用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）进行24/7的连续监测，确保化学品在运输和更换过滤器过程中不受污染。在线接口软件（OIS）控制阀门、自动进样器和ICP-MS，实现自动校准和质量控制。该系统能够生成浓度和计数趋势图，并具备自动重新分析功能。

价格：￥电议型号：产地：日本
连续化学品检测系统 CSI

CSI 连续化学品检测系统：化学敏感仪器监测半导体晶圆厂使用的化学物质，通过连续化学采样检测（CSI）系统监测微量金属杂质，以避免器件故障。系统采用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）对化学品进行24/7的连续监测，包括液相（LT）和气溶胶相（AT）两种样品运输方式。L

价格：￥电议型号：产地：日本
金属标准气雾剂生成系统 MSAG

MSAG金属标准气雾剂生成系统，是一种用于纳米颗粒分析及直接气体分析的重要工具，尤其适用于电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）。该设备能够以0至3μL/min的速度将混合金属标准溶液引入雾化器，确保了高灵敏度和准确性。通过MSGG装置监测ICP-MS灵敏度变化，并利用钼气态标准作为内标。

价格：￥电议型号：产地：日本
激光剥蚀多通道原子吸收光谱系统LAGM

LAGM激光剥蚀多通道原子吸收光谱系统采用飞秒激光和电流计镜，可精确烧蚀 300 毫米晶圆样品，无需小型封闭腔室。系统配备双注射器模型 MSAG_DS，支持标准加入法进行定量分析，具备点和面倾斜度、轮廓及杂质分析功能。系统能全自动操作，支持多种分析模式如全扫描、斑点、直线、块模式及深度剖面模式，适用于晶圆和非晶圆样品的全面分析。

价格：￥电议型号：产地：日本
硅片金属杂质分析系统 Expert

硅片金属杂质分析系统 Expert,全自动汽车扫描系统与真空二次离子质谱法（VPD-ICP-MS）结合，为硅片金属杂质分析提供了高效的解决方案。系统具备多个型号，包括适用于实验室和工厂自动化的Expert_LAB、Expert_PS和Expert_FAB。这些系统支持多种扫描模式，如全扫描、径向扫描和倾斜扫描，可实现从大容量蚀刻到深度轮廓测量的全面分析。

价格：￥电议型号：产地：日本
WaferX 310Rigaku X射线荧光分析仪

日本Rigaku X射线荧光分析仪 WaferX 310, 通过X射线以大角度照射在镀膜的硅片样品上,产生镀膜样品的相应特征X射线的方法，进而分析测量硅片样品的镀膜厚度。

价格：￥电议型号：WaferX 310产地：日本
SI 500德国Sentech ICP-RIE等离子蚀刻机- SI 500

德国Sentech ICP-RIE等离子蚀刻机- SI 500，8英寸的晶圆

价格：￥电议型号：SI 500产地：中国大陆
SI 500-300德国 Sentech 多晶圆等离子刻蚀机

ICP-RIE Plasma Etcher - SI 500-300 Multiwafer SI 500-300多晶圆等离子刻蚀机300 mm / 400 mm 载板，用于多片晶圆

价格：￥电议型号：SI 500-300产地：欧洲
SI 500 RIE德国Sentech 等离子刻蚀机

德国Sentech 等离子刻蚀机 SI 500 RIE，RIE 蚀刻机，最大 8 英寸晶圆, 带可选的 ICP 源扩展

价格：￥电议型号：SI 500 RIE产地：欧洲
SI 500 C德国Sentech 低温等离子蚀刻机

德国Sentech 低温等离子蚀刻机 SI 500 C，最大 8 英寸晶圆，-150°C...+150°C

价格：￥电议型号：SI 500 C产地：欧洲
Etchlab 200德国Sentech 反应离子刻蚀机

德国Sentech 反应离子刻蚀机 Etchlab 200，最大 8 英寸晶圆，硅及相关材料的蚀刻

价格：￥电议型号：Etchlab 200产地：欧洲
Etchlab 380德国Sentech 多晶圆等离子体反应刻蚀机

德国Sentech 多晶圆等离子体反应刻蚀机 Etchlab 380，最大 300 mm 晶圆，用于多个晶圆的 380 mm 载体

价格：￥电议型号：Etchlab 380产地：欧洲
SI 591德国 Sentech 等离子刻蚀机

德国 Sentech 等离子刻蚀机 SI 591，所有材料的蚀刻，金属溅射，亚微米蚀刻

价格：￥电议型号：SI 591产地：欧洲
Depolab 200德国Sentech PECVD沉积设备

德国Sentech PECVD沉积设备 Depolab 200，最大 8 英寸晶圆，高达 400°C 的基板温度，低频混合，300-500 kHz 可选

价格：￥电议型号：Depolab 200产地：欧洲
SI 500 PPD德国Sentech PECVD沉积设备

德国Sentech PECVD沉积设备 SI 500 PPD,最大 8 英寸晶圆, 高达 350°C 的基板温度, 低频混合，300-500 kHz可选

价格：￥电议型号：SI 500 PPD产地：欧洲

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